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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | EDX5116ADSE |
| 廠商： | Elpida Memory, Inc. |
| 英文描述： | 512M bits XDR⑩ DRAM |
| 中文描述： | 512M比特的XDR DRAM的⑩ |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 27/78頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 3311K |
| 代理商： | EDX5116ADSE |
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Data Sheet E1033E30 (Ver. 3.0)
27
EDX5116ADSE
Figure 11
Interleaved Transac tions
T
0
T
1
T
2
T
3
T
4
T
5
T
6
T
7
T
9
T
10
T
11
T
12
T
13
T
14
T
15
T
16
T
17
T
18
T
19
T
20
T
21
T
22
T
23
T
8
Transaction a: WR
Transaction b: WR
Transaction c: WR
Transaction d: WR
Transaction e: WR
Transaction f: WR
a0 = {Ba,Ra}
b0 = {Bb,Rb}
c0 = {Bc,Rc}
d0 = {Bd,Rd}
e0 = {Be,Re}
f0 = {Bf,Rf}
a1 = {Ba,Ca1}
b1 = {Bb,Cb1}
c1 = {Bc,Cc1}
d1 = {Bd,Cd1}
e1 = {Be,Ce1}
f1 = {Bf,Cf1}
a2 = {Ba,Ca2}
b2 = {Bb,Cb2}
c2 = {Bc,Cc2}
d2 = {Bd,Cd2}
e2 = {Be,Ce2}
f2 = {Bf,Cf2}
a3 = {Ba}
b3 = {Bb}
c3 = {Bc}
d3 = {Bd}
e3 = {Be}
f3 = {Bf}
Bf = Ba
are different
banks.
Ba,Bb,Bc,Bd,Be
D(a2)
D(a1)
D(b2)
D(b1)
D(c2)
Transaction a: RD
Transaction b: RD
Transaction c: RD
Transaction d: RD
Transaction e: RD
a0 = {Ba,Ra}
b0 = {Bb,Rb}
c0 = {Bc,Rc}
d0 = {Bd,Rd}
e0 = {Be,Re}
a1 = {Ba,Ca1}
b1 = {Bb,Cb1}
c1 = {Bc,Cc1}
d1 = {Bd,Cd1}
e1 = {Be,Ce1}
a2 = {Ba,Ca2}
b2 = {Bb,Cb2}
c2 = {Bc,Cc2}
d2 = {Bd,Cd2}
e2 = {Be,Ce2}
a3 = {Ba}
b3 = {Bb}
c3 = {Bc}
d3 = {Bd}
e3 = {Be}
Be = Ba
different banks.
Ba,Bb,Bc,Bd are
Interleaved Page-empty Write Example
Interleaved Page-empty Read Example
c0
ACT
d0
ACT
a0
ACT
b0
ACT
e0
ACT
b1
WR
b2
WR
c1
WR
c2
WR
d1
WR
d2
WR
e1
WR
e2
WR
t
RC
t
RCD-W
a1
WR
b1
WR
b2
WR
c1
WR
c2
WR
c0
ACT
d1
WR
d2
WR
d0
ACT
e1
WR
e2
WR
a2
WR
a3
PRE
a0
ACT
b3
PRE
b0
ACT
c3
PRE
e0
ACT
f0
ACT
b3
PRE
c3
PRE
t
CC
t
WRP
t
CWD
a1
WR
a2
WR
a3
PRE
t
RP
t
RR
D(c1)
Δ
t
RC
T
0
T
1
T
2
T
3
T
4
5
T
6
T
7
T
9
T
10
T
11
T
12
T
13
T
14
T
15
T
16
T
17
T
18
T
19
T
20
T
21
T
22
T
23
T
8
c0
ACT
d0
ACT
a0
ACT
b0
ACT
e0
ACT
f0
ACT
b1
RD
b2
RD
c1
RD
c2
RD
d1
RD
d2
RD
e1
RD
e2
RD
t
RC
t
RCD-R
a1
RD
b1
RD
b2
RD
c1
RD
c2
RD
c0
ACT
d1
RD
d2
RD
d0
ACT
e1
RD
e2
RD
a2
RD
a3
PRE
a0
ACT
b3
PRE
b0
ACT
d3
PRE
e0
ACT
f0
ACT
t
CC
t
RDP
t
CAC
a1
RD
a2
RD
t
RP
t
RR
c3
PRE
t
CYCLE
t
CYCLE
The effective t
RC
time is increased by 4 t
CYCLE
DQ15..0
DQN15..0
CFM
CFMN
RQ11..0
(ACT)
RQ11..0
(COL)
RQ11..0
(PRE)
RQ11..0
(ALL)
DQ15..0
DQN15..0
CFM
CFMN
RQ11..0
(ACT)
RQ11..0
(COL)
RQ11..0
(PRE)
RQ11..0
(ALL)
Q(a2)
Q(a1)
Q(b2)
Q(b1)
Q(c2)
Q(c1)
D(d2)
D(e1)
f1
WR
f2
WR
D(d1)
f0
ACT
f1
WR
f2
WR
a3
PRE
b3
PRE
d3
PRE
c3
PRE
D(e1)
Δ
t
WRP
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDX5116ADSE-3B-E | 512M bits XDR⑩ DRAM |
| EDX5116ADSE-3C-E | 512M bits XDR⑩ DRAM |
| EDX5116ADSE-4D-E | 512M bits XDR⑩ DRAM |
| EDX5116ADSE-3A-E | 512M bits XDR⑩ DRAM |
| EDZ20B | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EDX5116ADSE-3A-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits XDR⑩ DRAM |
| EDX5116ADSE-3B-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits XDR⑩ DRAM |
| EDX5116ADSE-3C-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits XDR? DRAM |
| EDX5116ADSE-4D-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits XDR⑩ DRAM |
| EDXSPECTRUMDAT/5962R8773901VDA | 制造商:Analog Devices 功能描述:SPECTRUM ANALYSIS - Literature |
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