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參數(shù)資料
| 型號： | HB52RF329E2 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 256 MB Registered SDRAM DIMM(256 MB 寄存同步DRAM DIMM) |
| 中文描述： | 注冊使用256 MB SDRAM的內(nèi)存（256 MB的寄存同步的DRAM內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 57/64頁 |
| 文件大?。?/td> | 869K |
| 代理商： | HB52RF329E2 |
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HB52RF329E2-75F
57
Read/Burst Write Cycle
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D
E
N
2
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19
20
R:a
C:a
R:b
C:a'
R:a
C:a
C:a
J
A
J
@
A
I
J
a+1
a
a+1 a+2 a+3
H
PI
H
H
H
Bank 0
Active
Bank 0
Read
Bank 0
Write
Bank 0
Precharge
Read/Burst write
RE
,
CE
delay = 3
CE
latency = 4
Burst length = 4
= V or V
IH
'
(
0
)
&
.
/
7
8
@
*
2
3
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Bank 3
Active
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W
BA
Address
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CK
CKE
RE
S
CE
W
BA
Address
DQMB
a+1 a+2 a+3
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a+3
a
A
I
J
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(
1
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2
3
:
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C
D
+
3
4
<
=
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'
Bank 0
Active
Bank 0
Read
Bank 3
Active
Clock
suspend
Bank 0
Write
Bank 0
Precharge
Bank 3
Precharge
&
'
.
/
7
@
#
V
IH
IL
Din
Dout
Din
Dout
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HB52RF648DC-B | 512 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM 64-Mword 】 64-bit, 133/100 MHz Memory Bus, 2-Bank Module (16 pcs of 32 M 】 8 components) PC133/100 SDRAM |
| HB52RD648DC-B | 512 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM 64-Mword 】 64-bit, 133/100 MHz Memory Bus, 2-Bank Module (16 pcs of 32 M 】 8 components) PC133/100 SDRAM |
| HB52RF649DC | 512MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM |
| HB52RD649DC-A6B | 512MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM |
| HB52RD649DC-A6BL | 512MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HB52RF329E2-75F | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 SDRAM Module |
| HB52RF648DC-75B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
| HB52RF648DC-75BL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
| HB52RF648DC-B | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM 64-Mword 】 64-bit, 133/100 MHz Memory Bus, 2-Bank Module (16 pcs of 32 M 】 8 components) PC133/100 SDRAM |
| HB52RF649DC | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM |
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