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參數(shù)資料
| 型號： | HB52RF329E2 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 256 MB Registered SDRAM DIMM(256 MB 寄存同步DRAM DIMM) |
| 中文描述： | 注冊使用256 MB SDRAM的內(nèi)存（256 MB的寄存同步的DRAM內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 40/64頁 |
| 文件大?。?/td> | 869K |
| 代理商： | HB52RF329E2 |
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HB52RF329E2-75F
40
Read command to Write command interval:
1. Same bank, same ROW address:
When the write command is executed at the same ROW address of the
same bank as the preceding read command, the write command can be performed after an interval of no less
than 1 clock. However, DQMB must be set High so that the output buffer becomes High-Z before data input.
READ to WRITE Command Interval (1)
CK
Command
Dout
in B2
in B3
READ
WRIT
in B0
in B1
High-Z
Din
DQMB
CL = 4
Burst Length = 4
Burst write
READ to WRITE Command Interval (2)
CK
Command
Dout
READ
WRIT
Din
DQMB
CL = 4
2 clock
High-Z
2. Same bank, different ROW address:
When the ROW address changes, consecutive write commands
cannot be executed; it is necessary to separate the two commands with a precharge command and a bank-
active command.
3. Different bank:
When the bank changes, the write command can be performed after an interval of no less
than 1 clock, provided that the other bank is in the bank-active state. However, DQMB must be set High so
that the output buffer becomes High-Z before data input.
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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