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參數(shù)資料
| 型號： | HB52RF329E2 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 256 MB Registered SDRAM DIMM(256 MB 寄存同步DRAM DIMM) |
| 中文描述： | 注冊使用256 MB SDRAM的內存（256 MB的寄存同步的DRAM內存） |
| 文件頁數(shù)： | 43/64頁 |
| 文件大小： | 869K |
| 代理商： | HB52RF329E2 |
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HB52RF329E2-75F
43
Read with auto precharge to Write command interval
1. Different bank:
When some banks are in the active state, the second write command (another bank) is
executed. However, DQMB must be set High so that the output buffer becomes High-Z before data input.
The internal auto-precharge of one bank starts at the next clock of the second command.
Read with Auto Precharge to Write Command Interval
(Different bank)
CK
Command
BA
Dout
Din
READ A
WRIT
in B0
in B1
in B2
in B3
Burst Length = 4
bank0
Read A
bank3
Write
Note: Internal auto-precharge starts at the timing indicated by " ".
DQMB
CL = 4
High-Z
2. Same bank:
The consecutive write command from read with auto precharge (the same bank) is illegal. It
is necessary to separate the two commands with a bank active command.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| HB52RD648DC-B | 512 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM 64-Mword 】 64-bit, 133/100 MHz Memory Bus, 2-Bank Module (16 pcs of 32 M 】 8 components) PC133/100 SDRAM |
| HB52RF649DC | 512MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM |
| HB52RD649DC-A6B | 512MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM |
| HB52RD649DC-A6BL | 512MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| HB52RF648DC-75BL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
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| HB52RF649DC | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM |
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