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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HB52RF329E2 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 256 MB Registered SDRAM DIMM(256 MB 寄存同步DRAM DIMM) |
| 中文描述： | 注冊(cè)使用256 MB SDRAM的內(nèi)存（256 MB的寄存同步的DRAM內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 33/64頁 |
| 文件大?。?/td> | 869K |
| 代理商： | HB52RF329E2 |
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HB52RF329E2-75F
33
Burst Length
READ
CK
Command
Dout
ACTV
Row
Column
out 0
out 6
out 7
out 8
Address
out 0 out 1
out 4
out 5
out 0
out 1 out 2 out 3
BL = 1
out 0 out 1 out 2
out 3
out 0
out 1 out 2 out 3
out 6
out 7
out 4
out 5
out 0-1
out 0
out 1
BL = 2
BL = 4
BL = 8
BL = full page
t
RCD
BL : Burst Length
CE
Latency = 4
Write operation:
Burst write or single write mode is selected by the OPCODE (A13, A12, A11, A10, A9,
A8) of the mode register.
1. Burst write:
A burst write operation is enabled by setting OPCODE (A9, A8) to (0, 0). A burst write
starts in the next clock as a write command set. (The latency of data input is 1 clock.) The burst length can
be set to 1, 2, 4, 8, and full-page, like burst read operations. The write start address is specified by the column
address (and the bank select address (BA) at the write command set cycle.
WRIT
CK
Command
Din
ACTV
Row
Column
in 0
in 6
in 7
in 8
Address
in 1
in 4
in 5
in 3
BL = 1
in 6
in 7
in 4
in 5
in 0-1
in 0
in 1
BL = 2
BL = 4
BL = 8
BL = full page
t
RCD
in 0
in 0
in 0
in 0
in 1
in 1
in 1
in 2
in 2
in 2
in 3
in 3
CE
Latency = 4
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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