參數(shù)資料
型號： HB52RF329E2
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： 256 MB Registered SDRAM DIMM(256 MB 寄存同步DRAM DIMM)
中文描述： 注冊使用256 MB SDRAM的內(nèi)存（256 MB的寄存同步的DRAM內(nèi)存）
文件頁數(shù)： 54/64頁
文件大小： 869K
代理商： HB52RF329E2
HB52RF329E2-75F
54
Write Cycle
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V
IH
CE
latency = 4
Burst length = 4
Bank 0 access
= V or V
IH
IL
DQMB
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HB52RF648DC-B 512 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM 64-Mword 】 64-bit, 133/100 MHz Memory Bus, 2-Bank Module (16 pcs of 32 M 】 8 components) PC133/100 SDRAM
HB52RD648DC-B 512 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM 64-Mword 】 64-bit, 133/100 MHz Memory Bus, 2-Bank Module (16 pcs of 32 M 】 8 components) PC133/100 SDRAM
HB52RF649DC 512MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM
HB52RD649DC-A6B 512MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM
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