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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HB52RF329E2 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 256 MB Registered SDRAM DIMM(256 MB 寄存同步DRAM DIMM) |
| 中文描述： | 注冊(cè)使用256 MB SDRAM的內(nèi)存（256 MB的寄存同步的DRAM內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 7/64頁 |
| 文件大?。?/td> | 869K |
| 代理商： | HB52RF329E2 |
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HB52RF329E2-75F
7
Byte No. Function described
Bit7 Bit6 Bit5 Bit4 Bit3 Bit2 Bit1 Bit0 Hex value Comments
22
SDRAM device attributes:
General
0
0
0
0
1
1
1
0
0E
V
CC
±
10%
23
SDRAM cycle time
(2nd highest
CE
latency)
Undefined
1
0
1
0
0
0
0
0
A0
CL = 2
24
SDRAM access from Clock
(2nd highest
CE
latency)
Undefined
0
1
1
0
0
0
0
0
60
*
5
25
SDRAM cycle time
(3rd highest
CE
latency)
Undefined
0
0
0
0
0
0
0
0
00
26
SDRAM access from Clock
(3rd highest
CE
latency)
Undefined
0
0
0
0
0
0
0
0
00
27
Minimum row precharge time
0
0
0
1
0
1
0
0
14
20 ns
28
Row active to row active min
RE
to
CE
delay min
Minimum
RE
pulse width
0
0
0
0
1
1
1
1
0F
15 ns
29
0
0
0
1
0
1
0
0
14
20 ns
30
0
0
1
0
1
1
0
1
2D
45 ns
31
Density of each bank on module 0
0
1
0
0
0
0
0
20
2 bank
128M byte
32
Address and command signal
input setup time
0
0
0
1
0
1
0
1
15
1.5 ns*
5
33
Address and command signal
input hold time
0
0
0
0
1
0
0
0
08
0.8 ns*
5
34
Data signal input setup time
0
0
0
1
0
1
0
1
15
1.5 ns*
5
35
Data signal input hold time
0
0
0
0
1
0
0
0
08
0.8 ns*
5
36 to 61 Superset information
0
0
0
0
0
0
0
0
00
Future use
62
SPD data revision code
0
0
0
0
0
0
1
0
02
JEDEC2
63
Checksum for bytes 0 to 62
1
1
0
0
0
0
0
0
C0
192
64
Manufacturer’s JEDEC ID code
0
0
0
0
0
1
1
1
07
HITACHI
65 to 71 Manufacturer’s JEDEC ID code
0
0
0
0
0
0
0
0
00
72
Manufacturing location
×
×
×
×
×
×
×
×
××
*
2
(ASCII-
8bit code)
73
Manufacturer’s part number
0
1
0
0
1
0
0
0
48
H
74
Manufacturer’s part number
0
1
0
0
0
0
1
0
42
B
75
Manufacturer’s part number
0
0
1
1
0
1
0
1
35
5
76
Manufacturer’s part number
0
0
1
1
0
0
1
0
32
2
77
Manufacturer’s part number
0
1
0
1
0
0
1
0
52
R
78
Manufacturer’s part number
0
1
0
0
0
1
1
0
46
F
79
Manufacturer’s part
0
0
1
1
0
0
1
1
33
3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HB52RF648DC-B | 512 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM 64-Mword 】 64-bit, 133/100 MHz Memory Bus, 2-Bank Module (16 pcs of 32 M 】 8 components) PC133/100 SDRAM |
| HB52RD648DC-B | 512 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM 64-Mword 】 64-bit, 133/100 MHz Memory Bus, 2-Bank Module (16 pcs of 32 M 】 8 components) PC133/100 SDRAM |
| HB52RF649DC | 512MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM |
| HB52RD649DC-A6B | 512MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM |
| HB52RD649DC-A6BL | 512MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HB52RF329E2-75F | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 SDRAM Module |
| HB52RF648DC-75B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
| HB52RF648DC-75BL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
| HB52RF648DC-B | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM 64-Mword 】 64-bit, 133/100 MHz Memory Bus, 2-Bank Module (16 pcs of 32 M 】 8 components) PC133/100 SDRAM |
| HB52RF649DC | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM |
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