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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HB52RF329E2 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 256 MB Registered SDRAM DIMM(256 MB 寄存同步DRAM DIMM) |
| 中文描述： | 注冊使用256 MB SDRAM的內(nèi)存（256 MB的寄存同步的DRAM內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 47/64頁 |
| 文件大?。?/td> | 869K |
| 代理商： | HB52RF329E2 |
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HB52RF329E2-75F
47
Write command to Precharge command interval (same bank):
When the precharge command is executed
for the same bank as the write command that preceded it, the minimum interval between the two commands is
1 clock. However, if the burst write operation is unfinished, the input data must be masked by means of
DQMB for assurance of the clock defined by t
DPL
.
WRITE to PRECHARGE Command Interval (same bank):
Burst Length = 4
(To stop write operation)
CK
Command
Din
WRIT
PRE/PALL
t
DPL
DQMB
CK
in A0
in A1
Command
Din
WRIT
PRE/PALL
DQMB
t
DPL
Burst Length = 4
(To write all data)
CK
in A0
in A1
in A2
Command
Din
WRIT
PRE/PALL
in A3
DQMB
t
DPL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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