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參數(shù)資料
| 型號： | HB52RF329E2 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 256 MB Registered SDRAM DIMM(256 MB 寄存同步DRAM DIMM) |
| 中文描述： | 注冊使用256 MB SDRAM的內(nèi)存（256 MB的寄存同步的DRAM內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 15/64頁 |
| 文件大小： | 869K |
| 代理商： | HB52RF329E2 |
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HB52RF329E2-75F
15
DC Characteristics
(Ta = 0 to 55
°
C, V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V, V
SS
= 0 V)
HB52RF329E2-75F
PC133
CE
latency = 4
PC100
CE
latency = 3
Parameter
Symbol Min
Max
Min
Max
Unit Test conditions
Notes
Operating current
I
CC1
—
2495
—
2495
mA
Burst length = 1
t
RC
= min
CKE = V
IL
, t
CK
= 12 ns 6
CKE = V
IL
, t
CK
=
∞
1, 2, 3
Standby current in power down I
CC2P
Standby current in power down
(input signal stable)
—
803
—
803
mA
I
CC2PS
—
767
—
767
mA
7
Standby current in non power
down
I
CC2N
—
1271
—
1271
mA
CKE,
S
= V
IH
,
t
CK
= 12 ns
CKE = V
IL
, t
CK
= 12 ns 1, 2, 6
4
Active standby current in
power down
I
CC3P
—
839
—
839
mA
Active standby current in non
power down
I
CC3N
—
1415
—
1415
mA
CKE,
S
= V
IH
,
t
CK
= 12 ns
t
CK
= min, BL = 4
t
RC
= min
V
IH
≥
V
– 0.2 V
V
IL
≤
0.2 V
0
≤
Vin
≤
V
CC
0
≤
Vout
≤
V
CC
DQ = disable
1, 2, 4
Burst operating current
I
CC4
I
CC5
I
CC6
—
2675
—
2315
mA
1, 2, 5
Refresh current
—
3125
—
3125
mA
3
Self refresh current
—
731
—
731
mA
8
Input leakage current
I
LI
I
LO
–10
10
–10
10
μ
A
μ
A
Output leakage current
–10
10
–10
10
Output high voltage
V
OH
V
OL
2.4
—
2.4
—
V
I
OH
= –4 mA
I
OL
= 4 mA
Output low voltage
Notes: 1. I
depends on output load condition when the device is selected. I
CC
(max) is specified at the
output open condition.
2. One bank operation.
3. Input signals are changed once per one clock.
4. Input signals are changed once per two clocks.
5. Input signals are changed once per four clocks.
6. After power down mode, CK operating current.
7. After power down mode, no CK operating current.
8. After self refresh mode set, self refresh current.
—
0.4
—
0.4
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HB52RF648DC-B | 512 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM 64-Mword 】 64-bit, 133/100 MHz Memory Bus, 2-Bank Module (16 pcs of 32 M 】 8 components) PC133/100 SDRAM |
| HB52RD648DC-B | 512 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM 64-Mword 】 64-bit, 133/100 MHz Memory Bus, 2-Bank Module (16 pcs of 32 M 】 8 components) PC133/100 SDRAM |
| HB52RF649DC | 512MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM |
| HB52RD649DC-A6B | 512MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM |
| HB52RD649DC-A6BL | 512MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HB52RF329E2-75F | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 SDRAM Module |
| HB52RF648DC-75B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
| HB52RF648DC-75BL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
| HB52RF648DC-B | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM 64-Mword 】 64-bit, 133/100 MHz Memory Bus, 2-Bank Module (16 pcs of 32 M 】 8 components) PC133/100 SDRAM |
| HB52RF649DC | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM |
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