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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HB52RF329E2 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 256 MB Registered SDRAM DIMM(256 MB 寄存同步DRAM DIMM) |
| 中文描述： | 注冊(cè)使用256 MB SDRAM的內(nèi)存（256 MB的寄存同步的DRAM內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 16/64頁 |
| 文件大?。?/td> | 869K |
| 代理商： | HB52RF329E2 |
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HB52RF329E2-75F
16
Capacitance
(Ta = 25
°
C, V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V)
Parameter
Symbol
Max
Unit
Notes
Input capacitance (Address)
Input capacitance (
RE
,
CE
,
W
)
C
I1
C
I2
C
I3
C
I4
C
I5
C
I6
C
I/O1
25
pF
1, 2, 4
25
pF
1, 2, 4
Input capacitance (CKE)
Input capacitance (
S
)
45
pF
1, 2, 4
20
pF
1, 2, 4
Input capacitance (CK)
45
pF
1, 2, 4
Input capacitance (DQMB)
20
pF
1, 2, 4
Input/Output capacitance (DQ)
Notes: 1. Capacitance measured with Boonton Meter or effective capacitance measuring method.
2. Measurement condition: f = 1 MHz, 1.4 V bias, 200 mV swing.
3. DQMB = V
IH
to disable Data-out.
4. This parameter is sampled and not 100% tested.
25
pF
1, 2, 3, 4
AC Characteristics
(Ta = 0 to 55
°
C, V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V, V
SS
= 0 V)
HB52RF329E2-75F
PC133
CE
latency = 4
PC100
CE
latency = 3
Parameter
HITACHI
Symbol
PC100
Symbol Min
Max
Min
Max
Unit Notes
System clock cycle time
t
CK
t
CKH
t
CKL
t
AC
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
DS
t
DH
t
AS
t
AH
t
CES
Tclk
7.5
—
10
—
ns
1
CK high pulse width
Tch
3.4
—
4
—
ns
1
CK low pulse width
Tcl
3.4
—
4
—
ns
1
Access time from CK
Tac
—
6.3
—
7.5
ns
1, 2
Data-out hold time
Toh
1.8
—
2.1
—
ns
1, 2
CK to Data-out low impedance
1.1
—
1.1
—
ns
1, 2, 3
CK to Data-out high impedance
—
6.3
—
7.5
ns
1, 4
Data-in setup time
Tsi
2.4
—
2.9
—
ns
1
Data in hold time
Thi
1.7
—
3.4
—
ns
1
Address setup time
Tsi
1.9
—
2.6
—
ns
1
Address hold time
Thi
1.5
—
3.0
—
ns
1
CKE setup time
Tsi
1.9
—
2.6
—
ns
1, 5
CKE setup time for power down exit t
CESP
CKE hold time
Tpde
1.9
—
2.6
—
ns
1
t
CEH
Thi
1.5
—
3.0
—
ns
1
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