- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370430 > HB52RF329E2 (Hitachi,Ltd.) 256 MB Registered SDRAM DIMM(256 MB 寄存同步DRAM DIMM) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | HB52RF329E2 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 256 MB Registered SDRAM DIMM(256 MB 寄存同步DRAM DIMM) |
| 中文描述： | 注冊使用256 MB SDRAM的內(nèi)存（256 MB的寄存同步的DRAM內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 18/64頁 |
| 文件大小： | 869K |
| 代理商： | HB52RF329E2 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁當前第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁
HB52RF329E2-75F
18
Relationship Between Frequency and Minimum Latency
HB52RF329E2-75F
Parameter
133
CE
latency
= 4
100
CE
latency
= 3
Frequency (MHz)
t
CK
(ns)
Active command to column command (same bank)
HITACHI
Symbol
PC100
Symbol 7.5
10
Notes
I
RCD
I
RC
3
2
1
Active command to active command (same bank)
9
7
= [I
RAS
+ I
RP
]
1
Active command to precharge command (same bank) I
RAS
Precharge command to active command (same bank) I
RP
Write recovery or data-in to precharge command
(same bank)
6
5
1
3
2
1
I
DPL
Tdpl
2
1
1
Active command to active command (different bank)
I
RRD
I
SREX
I
APW
2
2
1
Self refresh exit time
Tsrx
2
2
2
Last data in to active command
(Auto precharge, same bank)
Tdal
5
3
= [I
DPL
+ I
RP
]
Self refresh exit to command input
I
SEC
9
7
= [I
RC
]
3
Precharge command to high impedance
I
HZP
I
APR
Troh
4
3
Last data out to active command (auto precharge)
(same bank)
0
0
Last data out to precharge (early precharge)
I
EP
I
CCD
I
WCD
I
DID
I
DOD
I
CLE
I
RSA
I
CDD
I
PEC
I
BSR
I
BSH
I
BSW
–3
–2
Column command to column command
Tccd
1
1
Write command to data in latency
Tdwd
1
1
DQMB to data in
Tdqm
1
1
DQMB to data out
Tdqz
3
3
CKE to CK disable
Tcke
2
2
Register set to active command
S
to command disable
Tmrd
3
1
0
Power down exit to command input
1
1
Burst stop to output valid data hold
3
2
Burst stop to output high impedance
4
3
Burst stop to write data ignore
Notes: 1. I
RCD
to I
RRD
are recommended value.
2. Be valid [DSEL] or [NOP] at next command of self refresh exit.
3. Except [DSEL] and [NOP]
1
1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HB52RF648DC-B | 512 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM 64-Mword 】 64-bit, 133/100 MHz Memory Bus, 2-Bank Module (16 pcs of 32 M 】 8 components) PC133/100 SDRAM |
| HB52RD648DC-B | 512 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM 64-Mword 】 64-bit, 133/100 MHz Memory Bus, 2-Bank Module (16 pcs of 32 M 】 8 components) PC133/100 SDRAM |
| HB52RF649DC | 512MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM |
| HB52RD649DC-A6B | 512MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM |
| HB52RD649DC-A6BL | 512MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HB52RF329E2-75F | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 SDRAM Module |
| HB52RF648DC-75B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
| HB52RF648DC-75BL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
| HB52RF648DC-B | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM 64-Mword 】 64-bit, 133/100 MHz Memory Bus, 2-Bank Module (16 pcs of 32 M 】 8 components) PC133/100 SDRAM |
| HB52RF649DC | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。