參數(shù)資料
型號: HB52RF329E2
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: 256 MB Registered SDRAM DIMM(256 MB 寄存同步DRAM DIMM)
中文描述: 注冊使用256 MB SDRAM的內(nèi)存(256 MB的寄存同步的DRAM內(nèi)存)
文件頁數(shù): 56/64頁
文件大小: 869K
代理商: HB52RF329E2
HB52RF329E2-75F
56
Read/Single Write Cycle
N
O
E
M
N
O
E
M
F
G
O
P
=
F
N
O
F
G
N
O
=
E
F
N
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
Bank 0
Active
Read
Active
,
#
,
!
*
!
*
R:a
C:a
R:b
C:a'
#
,
#
,
R:a
C:a
C:a
$
Bank 0
Bank 3
-
<
!
a
a
a
a
Bank 0
Write
Bank 0
Precharge
Bank 3
Precharge
Bank 0
Active
Bank 0
Read
Bank 0
Write
Bank 0
Precharge
)
*
2
)
*
2
(
)
2
(
)
=
E
F
N
R:b
Bank 3
Active
>
F
G
P
>
F
G
=
>
F
4
=
>
F
4
=
F
K
L
K
L
B
K
L
B
J
K
$
%
-
.
6
>$
%
-
56
>$
,-
5
>$
,
4
5
>
#$
,
58
A
I
J
9
A
B
I
J
9
A
B
J
K
9
B
J
K
B
K
L
C:a
Bank 0
Read
a
a+1 a+2 a+3
A
B
J
K
%
Bank 0
Write
Bank 0
Write
CKE
S
CE
W
Address
DQMB
Din
Dout
CK
BA
CKE
RE
S
CE
W
BA
Address
DQMB
'
(
0
1
9
(
)
0
1
9
:
)
2
:
;
C
L
)
1
2
9
:
C
(
)
1
2
9
C:b
b
c
a+1
a+1 a+2 a+3
C:c
!
"
*
+
2
3
:
!
*
!
*
3
>
F
G
O
P
4
+
,
3
<
=
)
1
2
:
&
V
IH
V
IH
Read/Single write
RE
,
CE
delay = 3
CE
latency = 4
Burst length = 4
= V or V
IH
IL
Din
Dout
a+3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HB52RF648DC-B 512 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM 64-Mword 】 64-bit, 133/100 MHz Memory Bus, 2-Bank Module (16 pcs of 32 M 】 8 components) PC133/100 SDRAM
HB52RD648DC-B 512 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM 64-Mword 】 64-bit, 133/100 MHz Memory Bus, 2-Bank Module (16 pcs of 32 M 】 8 components) PC133/100 SDRAM
HB52RF649DC 512MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM
HB52RD649DC-A6B 512MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM
HB52RD649DC-A6BL 512MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM
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參數(shù)描述
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HB52RF648DC-75BL 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module
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