參數(shù)資料
型號： H5MS5162DFR-K3M
廠商： HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類： DRAM
英文描述： 32M X 16 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA60
封裝： 8 X 10 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, FBGA-60
文件頁數(shù)： 11/62頁
文件大小： 1314K
代理商： H5MS5162DFR-K3M
Rev 1.3 / Apr. 2009
19
11
Mobile DDR SDRAM 512Mbit (32M x 16bit)
H5MS5162DFR Series
ABSOLUTE MAXIMUM RATING
AC and DC OPERATING CONDITIONS
OPERATING CONDITION
CLOCK INPUTS (CK, CK)
Address And Command Inputs (A0~An, BA0, BA1, CKE, CS, RAS, CAS, WE)
Data Inputs (DQ, DM, DQS)
Data Outputs (DQ, DQS)
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Operating Case Temperature
TC
-30 ~ 85
oC
Storage Temperature
TSTG
-55 ~ 150
oC
Voltage on Any Pin relative to VSS
VIN, VOUT
-0.3 ~ VDDQ+0.3
V
Voltage on VDD relative to VSS
VDD
-0.3 ~ 2.7
V
Voltage on VDDQ relative to VSS
VDDQ
-0.3 ~ 2.7
V
Short Circuit Output Current
IOS
50
mA
Power Dissipation
PD
0.7
W
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Note
Supply Voltage
VDD
1.7
1.8
1.95
V
1
I/O Supply Voltage
VDDQ
1.7
1.8
1.95
V
1
Operating Case Temperature
TC
-30
85
oC
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Note
DC Input Voltage
VIN
-0.3
VDDQ+0.3
V
DC Input Differential Voltage
VID(DC)
0.4*VDDQ
VDDQ+0.6
V
2
AC Input Differential Voltage
VID(AC)
0.6*VDDQ
VDDQ+0.6
V
2
AC Differential Crosspoint Voltage
VIX
0.4*VDDQ
0.6*VDDQ
V
3
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Note
Input High Voltage
VIH
0.8*VDDQ
VDDQ+0.3
V
Input Low Voltage
VIL
-0.3
0.2*VDDQ
V
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Note
DC Input High Voltage
VIHD(DC)
0.7*VDDQ
VDDQ+0.3
V
DC Input Low Voltage
VILD(DC)
-0.3
0.3*VDDQ
V
AC Input High Voltage
VIHD(AC)
0.8*VDDQ
VDDQ+0.3
V
AC Input Low Voltage
VILD(AC)
-0.3
0.2*VDDQ
V
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Note
DC Output High Voltage (IOH = -0.1mA)
VOH
0.9*VDDQ
-
V
DC Output Low Voltage (IOL = 0.1mA)
VOL
-
0.1*VDDQ
V
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PDF描述
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