參數(shù)資料
型號： AM54BDS128AGT89IT
廠商： ADVANCED MICRO DEVICES INC
元件分類： 存儲器
英文描述： SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA93
封裝： 10 X 10 MM, 0.80 PITCH, FBGA-93
文件頁數(shù)： 66/71頁
文件大?。?/td> 1031K
代理商： AM54BDS128AGT89IT
69
Am54BDS128AG
July 23, 2002
ADV ANCE
I N FO RMAT I O N
SRAM DATA RETENTION
Notes:
1. CE1#s
≥ V
CC – 0.2 V, CE2s ≥ VCC – 0.2 V (CE1#s controlled) or CE2s ≤ 0.2 V (CE2s controlled).
2. Typical values are not 100% tested.
Figure 39.
CE1#s Controlled Data Retention Mode
Figure 40.
CE2s Controlled Data Retention Mode
Parameter
Symbol
Parameter Description
Test Setup
Min
Typ
Max
Unit
V
DR
V
CC for Data Retention
CS1#s
≥ V
CC – 0.2 V (Note 1)
1.0
2.2
V
I
DR
Data Retention Current
V
CC = 1.2 V, CE1#s ≥ VCC – 0.2 V
1.0
8A
t
SDR
Data Retention Set-Up Time
See data retention waveforms
0ns
t
RDR
Recovery Time
t
RC
ns
VDR
VCC
2.7V
2.2V
CE1#s
GND
Data Retention Mode
CE1#s
≥ VCC - 0.2 V
tSDR
tRDR
VCC
2.7 V
0.4 V
VDR
CE2s
GND
Data Retention Mode
tSDR
tRDR
CE2s < 0.2 V
相關PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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