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參數(shù)資料
| 型號： | OR4E2 |
| 廠商： | Lineage Power |
| 英文描述： | Field-Programmable Gate Arrays(現(xiàn)場可編程門陣列) |
| 中文描述： | 現(xiàn)場可編程門陣列（現(xiàn)場可編程門陣列） |
| 文件頁數(shù)： | 74/132頁 |
| 文件大小： | 2667K |
| 代理商： | OR4E2 |
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74
Lucent Technologies Inc.
Preliminary Data Sheet
August 2000
ORCA Series 4 FPGAs
Electrical Characteristics
(continued)
Table 41. Electrical Characteristics
(continued)
* The pull-up resistor will externally pull the pin to a level 1.0 V below V
DD
IO.
Data Retention Voltage
(V
DD
33)
Input Capacitance
V
DR
T
A
= 25 °C
2.3
—
V
C
IN
T
A
= 25 °C, V
DD
= 3.3 V
Test frequency = 1 MHz
T
A
= 25 °C, V
DD
= 3.3 V
Test frequency = 1 MHz
—
—
V
DD
IO = 3.6 V, V
IN
= V
SS
, T
A
= 0 °C
—
6
pF
Output Capacitance
C
OUT
—
6
pF
DONE Pull-up Resistor*
M[3:0] Pull-up Resistor*
I/O Pad Static Pull-up
Current*
I/O Pad Static
Pull-down Current
I/O Pad Pull-up Resistor*
I/O Pad Pull-down
Resistor
DONE Pull-up Resistor*
M[3:0] Pull-up Resistor*
I/O Pad Static Pull-up
Current*
I/O Pad Static
Pull-down Current
I/O Pad Pull-up
Resistor*
I/O Pad Pull-down
Resistor
R
DONE
R
M
I
PU
100
100
14.4
—
—
50.9
k
k
μA
I
PD
V
DD
IO = 3.6 V, V
IN
= V
SS
, T
A
= 0 °C
26
103
μA
R
PU
R
PD
V
DD
IO = all, V
IN
= V
SS
, T
A
= 0 °C
V
DD
IO = all, V
IN
= V
DD
, T
A
= 0 °C
100
50
—
—
k
k
R
DONE
R
M
I
PU
—
—
100
100
14.4
—
—
50.9
k
k
μA
V
DD
IO
= 3.6 V, V
IN
= V
SS
, T
A
= 0 °C
I
PD
V
DD
IO = 3.6 V, V
IN
= V
SS
, T
A
= 0 °C
26
103
μA
R
PU
V
DD
IO = all, V
IN
= V
SS
, T
A
= 0 °C
100
—
k
R
PD
V
DD
IO = all, V
IN
= V
DD
, T
A
= 0 °C
50
—
k
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參數(shù)描述 |
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