參數(shù)資料
型號(hào)： MT48LC32M4A2P-7ELIT:G
元件分類： DRAM
英文描述： 32M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54
封裝： 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-54
文件頁數(shù)： 29/74頁
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PDF: 09005aef8091e66d/Source: 09005aef8091e625
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
128MSDRAM_2.fm - Rev. N 1/09 EN
35
1999 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
128Mb: x4, x8, x16 SDRAM
Operations
Figure 24:
WRITE-to-PRECHARGE
Notes:
1. DQM could remain LOW in this example if the WRITE burst is a fixed length of two.
Figure 25:
Terminating a WRITE Burst
Notes:
1. DQMs are LOW.
DON’T CARE
DQM
CLK
DQ
T2
T1
T4
T3
T0
COMMAND
ADDRESS
BANK a,
COL n
T5
NOP
WRITE
PRECHARGE
NOP
DIN
n
DIN
n + 1
ACTIVE
t RP
BANK
(a or all)
t WR
BANK a,
ROW
DQM
DQ
COMMAND
ADDRESS
BANK a,
COL n
NOP
WRITE
PRECHARGE
NOP
DIN
n
DIN
n + 1
ACTIVE
t RP
BANK
(a or all)
t WR
BANK a,
ROW
T6
NOP
tWR @ tCLK ≥ 15ns
tWR = tCLK < 15ns
TRANSITIONING DATA
DON’T CARE
CLK
DQ
T2
T1
T0
COMMAND
ADDRESS
BANK,
COL n
WRITE
BURST
TERMINATE
NEXT
COMMAND
DIN
n
(ADDRESS)
(DATA)
TRANSITIONING DATA
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PDF描述
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