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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K1B6416B6C |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 4Mx16 bit Synchronous Burst Uni-Transistor Random Access Memory |
| 中文描述： | 4Mx16位同步突發(fā)統(tǒng)一晶體管隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 |
| 文件頁數(shù)： | 16/46頁 |
| 文件大?。?/td> | 768K |
| 代理商： | K1B6416B6C |
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Revision 1.0
January 2005
K1B6416B6C
- 16 -
U
t
RAM
Table 11. Burst Sequence
1. Wrap : Burst Address wraps within word boundary and ends after fulfilled the burst length.
2. 256 word Full page burst mode needs to meet tBC(Burst Cycle time) parameter as max. 2500ns.
Start
Addr.
Burst Address Sequence(Decimal)
Wrap
1)
4 word Burst
8 word Burst
16 word Burst
Full Page(256 word)
Linear
Interleave
Linear
Interleave
Linear
Interleave
Linear
0
0-1-2-3
0-1-2-3
0-1-...-5-6-7
0-1-2-...-6-7
0-1-2-...-14-15
0-1-2-3-4...14-15
0-1-2-...-254-255
1
1-2-3-0
1-0-3-2
1-2-...-6-7-0
1-0-3-...-7-6
1-2-3-...-15-0
1-0-3-2-5...15-14
1-2-3-...-255-0
2
2-3-0-1
2-3-0-1
2-3-...-7-0-1
2-3-0-...-4-5
2-3-4-...-0-1
2-3-0-1-6...12-13
2-3-4-...-255-0-1
3
3-0-1-2
3-2-1-0
3-4-...-0-1-2
3-2-1-...-5-4
3-4-5-...-1-2
3-2-1-0-7...13-12
3-4-5-...-255-0-1-2
4
4-5-...-1-2-3
4-5-6-...-2-3
4-5-6-...-2-3
4-5-6-7-0...10-11
4-5-6-...-255-0-1-2-3
5
5-6-...-2-3-4
5-4-7-...-3-2
5-6-7-...-3-4
5-4-7-6-1...11-10
5-6-7-...-255-...-3-4
6
6-7-...-3-4-5
6-7-4-...-0-1
6-7-8-...-4-5
6-7-4-5-2...8-9
6-7-8-...-255-...-4-5
7
7-0-...-4-5-6
7-6-5-...-1-0
7-8-9-...-5-6
7-6-5-4-3...9-8
7-8-9-...-255-...-5-6
~
~
~
~
14
14-15-0-...-12-13
14-15-12-...-0-1
14-15-...-255-...-12-13
15
15-0-1-...-13-14
15-14-13-...-1-0
15-16-...-255-...-13-14
~
~
255
255-0-1-...-253-254
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K1S161611A | 1Mx16 bit Uni-Transistor Random Access Memory |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| K1BABPCCFA | 制造商:OTTO Engineering Inc 功能描述:SPST RED ROCK, ON-ON12V GRN LED, 2 GRNLENS DEPENDENT |
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