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參數(shù)資料
| 型號： | HYB18L256160B |
| 廠商： | QIMONDA |
| 英文描述： | DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM |
| 中文描述： | DRAM的針對移動應(yīng)用256兆移動RAM |
| 文件頁數(shù)： | 49/58頁 |
| 文件大?。?/td> | 1766K |
| 代理商： | HYB18L256160B |
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Data Sheet
Rev. 1.73, 2006-09
01302004-CZ2R-J9SE
49
HY[B/E]18L256160B[C/F]L-7.5
256-Mbit Mobile-RAM
TABLE 25
Electrical Characteristics
3.2
AC Characteristics
TABLE 26
AC Characteristics
Parameter
Symbol
Values
Unit
Note
1)
1) 0
C
≤
T
C
≤
70
°
C (comm.); -25
°
C
≤
T
C
≤
85
°
C (ext.); All voltages referenced to
V
SS
.
V
SS
and
V
SSQ
must be at same potential.
2)
V
may overshoot to
V
+ 0.8 V for pulse width < 4 ns;
V
may undershoot to -0.8 V for pulse width < 4 ns.
Pulse width measured at 50% with amplitude measured between peak voltage and DC reference level.
Min.
Max.
Power Supply Voltage
Power Supply Voltage for DQ Output Buffer
Input high voltage
Input low voltage
Output high voltage (
I
OH
= -0.1 mA)
Output low voltage (
I
OL
= 0.1 mA)
Input leakage current
Output leakage current
V
DD
V
DDQ
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
IL
I
OL
1.65
1.65
0.8
×
V
DDQ
-0.3
V
DDQ
- 0.2
–
-1.0
-1.5
1.95
1.95
V
DDQ
+ 0.3
0.3
–
0.2
1.0
1.5
V
V
V
V
V
V
μΑ
μ
A
–
–
2)
2)
–
–
–
–
Parameter
Symbol
- 7.5
Unit
Note
1)2)3)4)
min.
max.
Clock cycle time
CL = 3
CL = 2
CL = 3
CL = 2
CL = 3
CL = 2
t
CK
7.5
9.5
—
—
—
—
2.5
2.5
1.5
0.5
0.8
2
1.0
3.0
2.5
—
—
—
133
105
5.4
6.0
—
—
—
—
—
—
—
7.0
—
2
ns
ns
MHz
MHz
ns
—
Clock frequency
f
CK
—
Access time from CLK
t
AC
5)6)
Clock high-level width
Clock low-level width
Address, data and command input setup time
Address, data and command input hold time
Data (DQ) input hold time
MODE REGISTER SET command period
DQ low-impedance time from CLK
DQ high-impedance time from CLK
Data out hold time
DQM to DQ High-Z delay (READ Commands)
t
CH
t
CL
t
IS
t
IH
ns
ns
ns
ns
—
—
7)
7)
t
MRD
t
LZ
t
HZ
t
OH
t
DQZ
t
CK
ns
ns
ns
t
CK
—
—
—
5)6)
—
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYMP112S64LMP8-C4 | DDR2 SDRAM SO-DIMM |
| HYMP112S64LMP8-C5 | DDR2 SDRAM SO-DIMM |
| HYMP112S64LMP8-E3 | BNC FEMALE TO RCA MALE COUPLER |
| HYMP112S64LMP8-E4 | DDR2 SDRAM SO-DIMM |
| HYMP112S64MP8 | SHIELDED, RJ45 TO DB25 ADP, P |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB18L256160BC-7.5 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:BJAWBMSpecialty DRAMs Mobile-RAM |
| HYB18L256160BC-75 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:DRAMs for Mobile Applications |
| HYB18L256160BCL-7.5 | 制造商:QIMONDA 制造商全稱:QIMONDA 功能描述:DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM |
| HYB18L256160BCX-7.5 | 制造商:QIMONDA 制造商全稱:QIMONDA 功能描述:DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM |
| HYB18L256160BF | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:DRAMs for Mobile Applications |
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