參數(shù)資料
型號(hào)： HYB18L256160B
廠商： QIMONDA
英文描述： DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM
中文描述： DRAM的針對(duì)移動(dòng)應(yīng)用256兆移動(dòng)RAM
文件頁數(shù)： 25/58頁
文件大?。?/td> 1766K
代理商： HYB18L256160B
Data Sheet
Rev. 1.73, 2006-09
01302004-CZ2R-J9SE
25
HY[B/E]18L256160B[C/F]L-7.5
256-Mbit Mobile-RAM
2.4.5.3
READ - DQM Operation
DQM may be used to suppress read data and place the output buffers into High-Z state. The generic timing parameters as
listed in
Table 12
also apply to this DQM operation. The read burst in progress is not affected and will continue as programmed.
FIGURE 20
READ Burst - DQM Operation
%D $ &RO Q EDQN $ FROXPQ Q
'2 Q 'DWD 2XW IURP FROXPQ Q
&/
LQ WKH FDVH VKRZQ
'40 UHDG ODWHQF\ W
'4=
LV
FORFN F\FOHV
'RQW &DUH
&/.
&RPPDQG
123
5($'
123
123
123
123
123
123
'40
W
'4=
$G GUHVV
&RO Q
'4
'2 Q
'2 Q
'2 Q
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PDF描述
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參數(shù)描述
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HYB18L256160BC-75 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:DRAMs for Mobile Applications
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HYB18L256160BCX-7.5 制造商:QIMONDA 制造商全稱:QIMONDA 功能描述:DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM
HYB18L256160BF 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:DRAMs for Mobile Applications
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