參數(shù)資料
型號： HYB18L256160B
廠商： QIMONDA
英文描述： DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM
中文描述： DRAM的針對移動應(yīng)用256兆移動RAM
文件頁數(shù)： 4/58頁
文件大?。?/td> 1766K
代理商： HYB18L256160B
Data Sheet
Rev. 1.73, 2006-09
01302004-CZ2R-J9SE
4
HY[B/E]18L256160B[C/F]L-7.5
256-Mbit Mobile-RAM
TABLE 3
Ordering Information
1.2
Pin Configuration
FIGURE 1
Standard Ballout 256-Mbit Mobile-RAM
Type
1)
1) HY[B/E]: Designator for memory products (HYB: Standard temp. range; HYE: extended temp. range)
18L: 1.8 V Mobile-RAM
256: 256 MBit density
160: 16 bit interface width
B: die revision
C / F: lead-containing product (C) / green product (F)
L: low-power product
-7.5: speed grade(s): min. clock cycle time
Description
Package
Commercial Temperature Range
HYB18L256160B[C/F]
HYB18L256160B[C/F]
133 MHz 4 Banks
×
4 Mbit
×
16 LP-SDRAM P-VFBGA-54-2
133 MHz 4 Banks
×
4 Mbit
×
16 LP-SDRAM P-VFBGA-54-2
Extended Temperature Range
HYB18L256160BC-7.5
HYB18L256160BCL-7.5
HYB18L256160BF-7.5
HYB18L256160BFL-7.5
133 MHz 4 Banks
×
4 Mbit
×
16 LP-SDRAM P-VFBGA-54-2
133 MHz 4 Banks
×
4 Mbit
×
16 LP-SDRAM P-VFBGA-54-2
133 MHz 4 Banks
×
4 Mbit
×
16 LP-SDRAM P-VFBGA-54-2
133 MHz 4 Banks
×
4 Mbit
×
16 LP-SDRAM
6
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6
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYMP112S64LMP8-C4 DDR2 SDRAM SO-DIMM
HYMP112S64LMP8-C5 DDR2 SDRAM SO-DIMM
HYMP112S64LMP8-E3 BNC FEMALE TO RCA MALE COUPLER
HYMP112S64LMP8-E4 DDR2 SDRAM SO-DIMM
HYMP112S64MP8 SHIELDED, RJ45 TO DB25 ADP, P
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYB18L256160BC-7.5 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:BJAWBMSpecialty DRAMs Mobile-RAM
HYB18L256160BC-75 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:DRAMs for Mobile Applications
HYB18L256160BCL-7.5 制造商:QIMONDA 制造商全稱:QIMONDA 功能描述:DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM
HYB18L256160BCX-7.5 制造商:QIMONDA 制造商全稱:QIMONDA 功能描述:DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM
HYB18L256160BF 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:DRAMs for Mobile Applications
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