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參數(shù)資料
| 型號： | HYB18L256160B |
| 廠商： | QIMONDA |
| 英文描述： | DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM |
| 中文描述： | DRAM的針對移動應(yīng)用256兆移動RAM |
| 文件頁數(shù)： | 36/58頁 |
| 文件大?。?/td> | 1766K |
| 代理商： | HYB18L256160B |
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Data Sheet
Rev. 1.73, 2006-09
01302004-CZ2R-J9SE
36
HY[B/E]18L256160B[C/F]L-7.5
256-Mbit Mobile-RAM
FIGURE 34
WRITE to PRECHARGE Timing
2.4.7
BURST TERMINATE
The BURST TERMINATE command is used to truncate
READ or WRITE bursts (with Auto Precharge disabled). The
most recently registered READ or WRITE command prior to
the BURST TERMINATE command will be truncated, as
shown in
Figure 18
and
Figure 30
, respectively.
The BURST TERMINATE command is not allowed for
truncation of READ or WRITE bursts with Auto Precharge
enabled.
FIGURE 35
BURST TERMINATE Command
%D $ &RO Q EDQN $ FROXPQ Q
', Q 'DWD ,Q WR FROXPQ Q
%XUVW /H QJWK
:ULWH EXUVW VKRZQ LV WUXQFDWHG XQZDQWHG GDWD HOHPHQWV ', Q
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53
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&$6
&6
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+LJK
&/.
$ $
%$ %$
:(
5$6
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYMP112S64LMP8-C4 | DDR2 SDRAM SO-DIMM |
| HYMP112S64LMP8-C5 | DDR2 SDRAM SO-DIMM |
| HYMP112S64LMP8-E3 | BNC FEMALE TO RCA MALE COUPLER |
| HYMP112S64LMP8-E4 | DDR2 SDRAM SO-DIMM |
| HYMP112S64MP8 | SHIELDED, RJ45 TO DB25 ADP, P |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB18L256160BC-7.5 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:BJAWBMSpecialty DRAMs Mobile-RAM |
| HYB18L256160BC-75 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:DRAMs for Mobile Applications |
| HYB18L256160BCL-7.5 | 制造商:QIMONDA 制造商全稱:QIMONDA 功能描述:DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM |
| HYB18L256160BCX-7.5 | 制造商:QIMONDA 制造商全稱:QIMONDA 功能描述:DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM |
| HYB18L256160BF | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:DRAMs for Mobile Applications |
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