參數(shù)資料
型號(hào)： HYB18L256160B
廠商： QIMONDA
英文描述： DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM
中文描述： DRAM的針對移動(dòng)應(yīng)用256兆移動(dòng)RAM
文件頁數(shù)： 32/58頁
文件大?。?/td> 1766K
代理商： HYB18L256160B
Data Sheet
Rev. 1.73, 2006-09
01302004-CZ2R-J9SE
32
HY[B/E]18L256160B[C/F]L-7.5
256-Mbit Mobile-RAM
2.4.6.1
WRITE Burst Termination
Data from any WRITE burst may be truncated using the BURST TERMINATE command (see
Page 36
), provided that Auto
Precharge was not activated. The input data provided coincident with the BURST TERMINATE command will be ignored. This
is shown in
Figure 30
. The BURST TERMINATE command may be used to terminate a full-page WRITE which does not self-
terminate.
FIGURE 30
Terminating a WRITE Burst
%D $ &RO Q %DQN $ &ROXPQ Q
', Q 'DWD ,Q WR FROXPQ Q
%XUVW /H QJWK
VXEVHTXHQW HOHPHQWV RI 'DWD ,Q DUH ZULWWHQ LQ WKH SURJUDPPHG RUGHU IROORZLQJ ', Q
7KH EXUVW LV WHUPLQDWHG DIWHU WKH UG GDWD HOHPHQW
LQ WKH FDVH VKRZQ
'RQW &DUH
&/.
&RPPDQG
123
123
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123
123
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123
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%D $
'4
', Q
', Q
', Q
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PDF描述
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參數(shù)描述
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HYB18L256160BCL-7.5 制造商:QIMONDA 制造商全稱:QIMONDA 功能描述:DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM
HYB18L256160BCX-7.5 制造商:QIMONDA 制造商全稱:QIMONDA 功能描述:DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM
HYB18L256160BF 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:DRAMs for Mobile Applications
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