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參數(shù)資料
| 型號： | HB52R168DB |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 128 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM(128 MB 未緩沖同步DRAM S.O.DIMM) |
| 中文描述： | 128 MB的無緩沖內(nèi)存的SODIMM（128 MB的未緩沖同步內(nèi)存的SODIMM） |
| 文件頁數(shù)： | 9/57頁 |
| 文件大?。?/td> | 860K |
| 代理商： | HB52R168DB |
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HB52R168DB-F
9
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Value
Unit
Note
Voltage on any pin relative to V
SS
V
T
–0.5 to V
+ 0.5
(
≤
4.6 (max))
V
1
Supply voltage relative to V
SS
Short circuit output current
V
CC
Iout
–0.5 to +4.6
V
1
50
mA
Power dissipation
P
T
Topr
16
W
Operating temperature
0 to +65
°
C
°
C
Storage temperature
Note:
1. Respect to V
SS
.
Tstg
–55 to +125
DC Operating Conditions
(Ta = 0 to +65
°
C)
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Notes
Supply voltage
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
—
3.0
3.3
3.6
V
1, 2
0
0
0
V
3
Input high voltage
2.0
—
V
CC
+ 0.3
0.8
V
1, 4, 5
Input low voltage
–0.3
—
V
1, 6
Ambient illuminance
Notes: 1. All voltage referred to V
SS
2. The supply voltage with all V
CC
pins must be on the same level.
3. The supply voltage with all V
SS
pins must be on the same level.
4. CK, CKE,
S
, DQMB, DQ pins: V
IH
(max) = V
CC
+ 0.5 V for pulse width
≤
5 ns at V
CC
.
5. Others: V
IH
(max) = 4.6 V for pulse width
≤
5 ns at V
CC
.
6. V
IL
(min) = –1.0 V for pulse width
≤
5 ns at V
SS
.
—
—
100
lx
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HB52R2569E2 | 2 GB Registered SDRAM DIMM(2GB 寄存同步DRAM DIMM) |
| HB52R329E22 | 256 MB Registered SDRAM DIMM(256 MB 寄存同步DRAM DIMM) |
| HB52R329E2 | 256 MB Registered SDRAM DIMM(256 MB 寄存同步DRAM DIMM) |
| HB52RD168DB | 128 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM(128MB 未緩沖同步DRAM DIMM) |
| HB52RD328DC | 256 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM(256 MB 未緩沖同步DRAM S.O.DIMM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HB52R168DB-10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
| HB52R168DB-10F | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
| HB52R168DB-10FL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
| HB52R168DB-10L | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
| HB52R329E22-A6F | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 SDRAM Module |
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