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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HB52R168DB |
| 廠(chǎng)商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 128 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM(128 MB 未緩沖同步DRAM S.O.DIMM) |
| 中文描述： | 128 MB的無(wú)緩沖內(nèi)存的SODIMM（128 MB的未緩沖同步內(nèi)存的SODIMM） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 20/57頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 860K |
| 代理商： | HB52R168DB |
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HB52R168DB-F
20
Current state
S
RE
CE
W
Address
Command
Operation
Row active
H
×
×
×
×
×
×
DESL
NOP
L
H
H
H
NOP
NOP
L
H
H
L
BST
NOP
L
H
L
H
BA, CA, A10
READ/READ A
Begin read
L
H
L
L
BA, CA, A10
WRIT/WRIT A
Begin write
L
L
H
H
BA, RA
ACTV
Other bank active
ILLEGAL on same bank*
3
L
L
H
L
BA, A10
PRE, PALL
Precharge
L
L
L
H
×
REF, SELF
ILLEGAL
L
L
L
L
MODE
MRS
ILLEGAL
Read
H
×
×
×
×
×
×
DESL
Continue burst to end
L
H
H
H
NOP
Continue burst to end
L
H
H
L
BST
Burst stop to full page
Continue burst read to
CE
latency
and new read
L
H
L
H
BA, CA, A10
READ/READ A
L
H
L
L
BA, CA, A10
WRIT/WRIT A
Term burst read/start write
L
L
H
H
BA, RA
ACTV
Other bank active
ILLEGAL on same bank*
3
L
L
H
L
BA, A10
PRE, PALL
Term burst read and Precharge
L
L
L
H
×
REF, SELF
ILLEGAL
L
L
L
L
MODE
MRS
ILLEGAL
Read with
auto-precharge
H
×
×
×
×
DESL
Continue burst to end and
precharge
L
H
H
H
×
NOP
Continue burst to end and
precharge
L
H
H
L
×
BST
ILLEGAL
L
H
L
H
BA, CA, A10
READ/READ A
ILLEGAL
L
H
L
L
BA, CA, A10
WRIT/WRIT A
ILLEGAL
L
L
H
H
BA, RA
ACTV
Other bank active
ILLEGAL on same bank*
3
L
L
H
L
BA, A10
PRE, PALL
ILLEGAL
L
L
L
H
×
REF, SELF
ILLEGAL
L
L
L
L
MODE
MRS
ILLEGAL
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