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參數(shù)資料
| 型號： | HB52R168DB |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 128 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM(128 MB 未緩沖同步DRAM S.O.DIMM) |
| 中文描述： | 128 MB的無緩沖內(nèi)存的SODIMM（128 MB的未緩沖同步內(nèi)存的SODIMM） |
| 文件頁數(shù)： | 10/57頁 |
| 文件大小： | 860K |
| 代理商： | HB52R168DB |
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HB52R168DB-F
10
DC Characteristics
(Ta = 0 to 65
°
C, V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V, V
SS
= 0 V)
HB52R168DB
-10F/10FL
Parameter
Symbol Min
Max
Unit
Test conditions
Notes
Operating current
(
CE
latency = 2)
(
CE
latency = 3)
I
CC1
I
CC1
—
960
mA
Burst length = 1
t
RC
= min
1, 2, 3
—
960
mA
Standby current in power down I
CC2P
Standby current in power down
(input signal stable)
—
24
mA
CKE0 = V
IL
, t
CK
= 12 ns 6
CKE0 = V
IL
, CK0/CK1
= V
IL
or V
IH
Fixed
CKE0,
S
= V
IH
,
t
CK
= 12 ns
CKE0,
S
= V
IH
,
t
CK
= 12 ns
CKE0,
S
= V
IH
,
t
CK
= 12 ns
I
CC2PS
—
16
mA
7
Standby current in non power
down
I
CC2N
—
160
mA
4
Active standby current in power
down
I
CC3P
—
64
mA
1, 2, 6
Active standby current in non
power down
I
CC3N
—
288
mA
1, 2, 4
Burst operating current
(
CE
latency = 2)
(
CE
latency = 3)
I
CC4
I
CC4
I
CC5
I
CC6
—
880
mA
t
CK
= min, BL = 4
1, 2, 5
—
880
mA
Refresh current
—
1760
mA
t
RC
= min
V
IH
≥
V
– 0.2 V
V
IL
≤
0.2 V
V
IH
≥
V
– 0.2 V
V
IL
≤
0.2 V
0
≤
Vin
≤
V
CC
0
≤
Vout
≤
V
CC
DQ = disable
3
Self refresh current
—
16
mA
8
Self refresh current
(L-version)
I
CC6
—
6.4
mA
Input leakage current
I
LI
I
LO
–10
10
μ
A
μ
A
Output leakage current
–10
10
Output high voltage
V
OH
V
OL
2.4
—
V
I
OH
= –2 mA
I
OL
= 2 mA
Output low voltage
Notes: 1. I
depends on output load condition when the device is selected. I
CC
(max) is specified at the
output open condition.
2. One bank operation.
3. Input signals are changed once per one clock.
4. Input signals are changed once per two clocks.
5. Input signals are changed once per four clocks.
6. After power down mode, CK0/CK1 operating current.
7. After power down mode, no CK0/CK1 operating current.
8. After self refresh mode set, self refresh current.
—
0.4
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HB52R2569E2 | 2 GB Registered SDRAM DIMM(2GB 寄存同步DRAM DIMM) |
| HB52R329E22 | 256 MB Registered SDRAM DIMM(256 MB 寄存同步DRAM DIMM) |
| HB52R329E2 | 256 MB Registered SDRAM DIMM(256 MB 寄存同步DRAM DIMM) |
| HB52RD168DB | 128 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM(128MB 未緩沖同步DRAM DIMM) |
| HB52RD328DC | 256 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM(256 MB 未緩沖同步DRAM S.O.DIMM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HB52R168DB-10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
| HB52R168DB-10F | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
| HB52R168DB-10FL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
| HB52R168DB-10L | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
| HB52R329E22-A6F | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 SDRAM Module |
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