- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370430 > HB52R168DB (Hitachi,Ltd.) 128 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM(128 MB 未緩沖同步DRAM S.O.DIMM) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HB52R168DB |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 128 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM(128 MB 未緩沖同步DRAM S.O.DIMM) |
| 中文描述： | 128 MB的無緩沖內(nèi)存的SODIMM（128 MB的未緩沖同步內(nèi)存的SODIMM） |
| 文件頁數(shù)： | 12/57頁 |
| 文件大?。?/td> | 860K |
| 代理商： | HB52R168DB |
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HB52R168DB-F
12
AC Characteristics
(Ta = 0 to 65
°
C, V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V, V
SS
= 0 V) (cont)
HB52R168DB
-10F/10FL
Parameter
Command (
S0
,
RE
,
CE
,
W
, DQMB) setup
time
Command (
S0
,
RE
,
CE
,
W
, DQMB) hold
time
Symbol
Min
Max
Unit
Notes
t
CS
3
—
ns
1
t
CH
1.5
—
ns
1
Ref/Active to Ref/Active command period t
RC
Active to precharge command period
105
—
ns
1
t
RAS
t
RCD
60
120000
ns
1
Active command to column command
(same bank)
30
—
ns
1
Precharge to active command period
t
RP
t
DPL
30
—
ns
1
Write recovery or data in to precharge
lead time
30
—
ns
1
Active (a) to Active (b) command period
t
RRD
t
T
t
REF
20
—
ns
1
Transition time (rise and fall)
1
5
ns
Refresh period
Notes: 1. AC measurement assumes t
T
= 1 ns. Reference level for timing of input signals is 1.4 V.
2. Access time is measured at 1.4 V. Load condition is C
L
= 50 pF with current source.
3. t
LZ
(min) defines the time at which the outputs achieves the low impedance state.
4. t
HZ
(max) defines the time at which the outputs achieves the high impedance state.
5. t
CES
defines CKE0 setup time to CK rising edge except power down exit command.
—
64
ms
Test Conditions
Input and output timing reference levels: 1.4 V
Input waveform and output load: See following figures
Ambient illuminance: Under 100 lx
t
T
2.8 V
VSS
input
80%
20%
t
T
50
+1.4 V
DQ
CL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HB52R2569E2 | 2 GB Registered SDRAM DIMM(2GB 寄存同步DRAM DIMM) |
| HB52R329E22 | 256 MB Registered SDRAM DIMM(256 MB 寄存同步DRAM DIMM) |
| HB52R329E2 | 256 MB Registered SDRAM DIMM(256 MB 寄存同步DRAM DIMM) |
| HB52RD168DB | 128 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM(128MB 未緩沖同步DRAM DIMM) |
| HB52RD328DC | 256 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM(256 MB 未緩沖同步DRAM S.O.DIMM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HB52R168DB-10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
| HB52R168DB-10F | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
| HB52R168DB-10FL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
| HB52R168DB-10L | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
| HB52R329E22-A6F | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 SDRAM Module |
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