- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370430 > HB52R168DB (Hitachi,Ltd.) 128 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM(128 MB 未緩沖同步DRAM S.O.DIMM) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | HB52R168DB |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 128 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM(128 MB 未緩沖同步DRAM S.O.DIMM) |
| 中文描述： | 128 MB的無緩沖內(nèi)存的SODIMM（128 MB的未緩沖同步內(nèi)存的SODIMM） |
| 文件頁數(shù)： | 35/57頁 |
| 文件大?。?/td> | 860K |
| 代理商： | HB52R168DB |
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HB52R168DB-F
35
Read command to Write command interval:
1. Same bank, same ROW address:
When the write command is executed at the same ROW address of the
same bank as the preceding read command, the write command can be performed after an interval of no less
than 1 clock. However, DQMB must be set High so that the output buffer becomes High-Z before data input.
READ to WRITE Command Interval (1)
CK
Command
Dout
in B2
in B3
READ
WRIT
in B0
in B1
High-Z
Din
CL=2
CL=3
DQMB
Burst Length = 4
Burst write
READ to WRITE Command Interval (2)
CK
Command
Dout
READ
WRIT
Din
CL=2
CL=3
DQMB
High-Z
2 clock
High-Z
2. Same bank, different ROW address:
When the ROW address changes, consecutive write commands
cannot be executed; it is necessary to separate the two commands with a precharge command and a bank-
active command.
3. Different bank:
When the bank changes, the write command can be performed after an interval of no less
than 1 clock, provided that the other bank is in the bank-active state. However, DQMB must be set High so
that the output buffer becomes High-Z before data input.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| HB52R329E2 | 256 MB Registered SDRAM DIMM(256 MB 寄存同步DRAM DIMM) |
| HB52RD168DB | 128 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM(128MB 未緩沖同步DRAM DIMM) |
| HB52RD328DC | 256 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM(256 MB 未緩沖同步DRAM S.O.DIMM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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