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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | V59C1G01808QBLF-19A |
| 廠商： | PROMOS TECHNOLOGIES INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | DDR DRAM, PBGA68 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, FBGA-68 |
| 文件頁數(shù)： | 46/80頁 |
| 文件大?。?/td> | 971K |
| 代理商： | V59C1G01808QBLF-19A |
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V59C1G01(408/808)QB Rev. 1.1 December 2008
ProMOS TECHNOLOGIES
V59C1G01(408/808)QB
Active Power-Down Mode Entry and Exit after an Activate Command
Active Power-Down Mode Entry and Exit after a Read Burst: RL = 4 (AL = 1, CL =3), BL = 4
note: Active Power-Down mode exit timing tXARD (“fast exit”) or tXARDS (“slow exit”) depends on the programmed
state in the MRS, address bit A12.
NOP
Activate
T0
T2
T1
CMD
NOP
Tn
Tn+1
CKE
Active
Power-Down
Entry
NOP
Act.PD 0
tIS
Tn+2
tIS
Active
Power-Down
Exit
Valid
Command
tXARD or
tXARDS *)
CK, CK
note: Active Power-Down mode exit timing tXARD (“fast exit”) or tXARDS (“slow exit”) depends on the programmed
state in the MRS, address bit A12.
NOP
READ
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
Dout A0
Dout A1
Dout A2
Dout A3
RL = 4
CL = 3
CMD
DQ
DQS,
DQS
NOP
Tn
Tn+1
CKE
AL = 1
Active
Power-Down
Entry
RL + BL/2
NOP
Act.PD 1
tIS
Tn+2
tIS
Active
Power-Down
Exit
Valid
Command
tXARD or
tXARDS *)
CK, CK
READ w/AP
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| V5F110BB3 | SNAP ACTING/LIMIT SWITCH, SPDT, MOMENTARY, 0.5A, 125VDC, 2.4mm, PANEL MOUNT |
| V62/07602-02XE | 1-OUTPUT THREE TERM VOLTAGE REFERENCE, 2.5 V, PDSO6 |
| V62/07602-03XE | 1-OUTPUT THREE TERM VOLTAGE REFERENCE, 3 V, PDSO6 |
| V62C2162048LL-100T | 128K X 16 STANDARD SRAM, 100 ns, PDSO44 |
| V62C2162048L-45T | 128K X 16 STANDARD SRAM, 45 ns, PDSO44 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| V5A010CB | 制造商:Honeywell Sensing and Control 功能描述:MICROSWITCH V5 PIN PLUNGER |
| V5A010CB | 制造商:Honeywell Sensing and Control 功能描述:MICROSWITCH V5 PIN PLUNGER |
| V5A010CB4D | 制造商:Honeywell Sensing and Control 功能描述:MICROSWITCH V5 ROLLER LEVER |
| V5A010CB4D | 制造商:Honeywell Sensing and Control 功能描述:MICROSWITCH V5 ROLLER LEVER |
| V5A010CB4E | 制造商:Honeywell Sensing and Control 功能描述:MICROSWITCH V5 ROLLER LEVER |
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