參數(shù)資料
型號： NAND01GR4B2CZA1E
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： PROM
英文描述： 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PBGA63
封裝： 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, VFBGA-63
文件頁數(shù)： 51/64頁
文件大小： 632K
代理商： NAND01GR4B2CZA1E
NAND01G-B, NAND02G-B
DC And AC parameters
55/64
Figure 30.
Page Program AC Waveform
1.
A fifth address cycle is required for 2Gb devices.
CL
E
W
AL
R
I/O
RB
SR0
ai08668
N
Last
10h
70h
80h
Page Program
Setup Code
Confirm
Code
Read Status Register
tWLWL
tWHBL
tBLBH2
Page
Program
Address Input
Data Input
Add.N
cycle 1
Add.N
cycle 4
Add.N
cycle 3
Add.N
cycle 2
(Write Cycle time)
(Program Busy time)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND01GW3A0BZB1 128M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63
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NAND512R4A0BZA6 32M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63
NAND512R4A0BZB6 32M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA55
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參數(shù)描述
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NAND01GR4B2CZA6 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
NAND01GR4B2CZA6E 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
NAND01GR4B2CZA6F 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory
NAND01GR4B2CZB1 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
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