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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NAND01GR4B2CZA1E |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PBGA63 |
| 封裝： | 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, VFBGA-63 |
| 文件頁數(shù)： | 48/64頁 |
| 文件大?。?/td> | 632K |
| 代理商： | NAND01GR4B2CZA1E |
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DC And AC parameters
NAND01G-B, NAND02G-B
52/64
Figure 25.
Data Input Latch AC Waveforms
1.
Data In Last is 2112 in x8 devices and 1056 in x16 devices.
Figure 26.
Sequential Data Output after Read AC Waveforms
1.
CL = Low, AL = Low, W = High.
tWHCLH
CL
E
AL
W
I/O
tALLWL
tWLWL
tWLWH
tWHEH
tWLWH
Data In 0
Data In 1
Data In
Last
tDVWH
tWHDX
tDVWH
tWHDX
tDVWH
tWHDX
ai08030
(Data Setup time)
(Data Hold time)
(ALSetup time)
(CL Hold time)
(E Hold time)
E
ai08031
R
I/O
RB
tRLRL
tRLQV
tRHRL
tRLQV
Data Out
tRHQZ
tBHRL
tRLQV
tRHQZ
tEHQZ
(Read Cycle time)
(R Accesstime)
(R High Holdtime)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND01GW3A0BZB1 | 128M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| NAND512R4A2CZB6E | 32M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA55 |
| NAND512R4A0BZA6 | 32M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| NAND512R4A0BZB6 | 32M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA55 |
| NAND512R4A0CZA6T | 32M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NAND01GR4B2CZA1F | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
| NAND01GR4B2CZA6 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
| NAND01GR4B2CZA6E | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
| NAND01GR4B2CZA6F | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
| NAND01GR4B2CZB1 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
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