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參數(shù)資料
| 型號： | NAND01GR4B2CZA1E |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PBGA63 |
| 封裝： | 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, VFBGA-63 |
| 文件頁數(shù)： | 24/64頁 |
| 文件大?。?/td> | 632K |
| 代理商： | NAND01GR4B2CZA1E |
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Device operations
NAND01G-B, NAND02G-B
30/64
Figure 12.
Copy Back Program
1.
Copy back program is only permitted between odd address pages or even address pages.
Figure 13.
Page Copy Back Program with Random Data Input
I/O
RB
Source
Add Inputs
ai09858b
85h
Copy Back
Code
Read
Code
Read Status Register
Target
Add Inputs
tBLBH1
(Read Busy time)
Busy
tBLBH2
(Program Busy time)
00h
10h
70h
SR0
Busy
35h
I/O
RB
Source
Add Inputs
ai11001
85h
Read
Code
Target
Add Inputs
tBLBH1
(Read Busy time)
00h
Busy
35h
85h
Data
2 Cycle
Add Inputs
Data
Copy Back
Code
10h
70h
Unlimited number of repetitions
Busy
tBLBH2
(Program Busy time)
SR0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND01GW3A0BZB1 | 128M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| NAND512R4A2CZB6E | 32M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA55 |
| NAND512R4A0BZA6 | 32M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| NAND512R4A0BZB6 | 32M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA55 |
| NAND512R4A0CZA6T | 32M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NAND01GR4B2CZA1F | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
| NAND01GR4B2CZA6 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
| NAND01GR4B2CZA6E | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
| NAND01GR4B2CZA6F | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
| NAND01GR4B2CZB1 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
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