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參數(shù)資料
| 型號： | NAND01GR4B2CZA1E |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PBGA63 |
| 封裝： | 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, VFBGA-63 |
| 文件頁數(shù)： | 29/64頁 |
| 文件大?。?/td> | 632K |
| 代理商： | NAND01GR4B2CZA1E |
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NAND01G-B, NAND02G-B
Device operations
35/64
6.9
Read Electronic Signature
The device contains a Manufacturer Code and Device Code. To read these codes three steps
are required:
1.
one Bus Write cycle to issue the Read Electronic Signature command (90h)
2.
one Bus Write cycle to input the address (00h)
3.
four Bus Read Cycles to sequentially output the data (as shown in Table 14: Electronic
Table 14.
Electronic Signature
Part Number
Byte/Word 1
Byte/Word 2
Byte/Word 3
Byte/Word 4
Manufacturer
Code
Device code
NAND01GR3B
20h
A1h
Reserved
80h
Page Size
Spare Area size
Sequential Access
Time
Block Size
Organization
(see
NAND01GW3B
F1h
NAND01GR4B
0020h
B1h
NAND01GW4B
C1h
NAND02GR3B
20h
AAh
NAND02GW3B
DAh
NAND02GR4B
0020h
BAh
NAND02GW4B
CAh
Table 15.
Electronic Signature Byte/Word 4
I/O
Definition
Value
Description
I/O1-I/O0
Page Size
(Without Spare Area)
0 0
0 1
1 0
1 1
1K
2K
Reserved
I/O2
Spare Area Size
(Byte / 512 Byte)
0
1
8
16
I/O3
Sequential Access Time
0
1
Standard (50 ns)
Fast
(30 ns)
I/O5-I/O4
Block Size
(Without Spare Area)
0 0
0 1
1 0
1 1
64K
128K
256K
Reserved
I/O6
Organization
0
1
X8
X16
I/O7
Not Used
Reserved
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND01GW3A0BZB1 | 128M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| NAND512R4A2CZB6E | 32M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA55 |
| NAND512R4A0BZA6 | 32M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| NAND512R4A0BZB6 | 32M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA55 |
| NAND512R4A0CZA6T | 32M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NAND01GR4B2CZA1F | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
| NAND01GR4B2CZA6 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
| NAND01GR4B2CZA6E | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
| NAND01GR4B2CZA6F | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
| NAND01GR4B2CZB1 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
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