- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370785 > HYB25R144180C (SIEMENS AG) 144-Mbit direct RDRAM(144 Mbit 直接 RDRAM) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB25R144180C |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 144-Mbit direct RDRAM(144 Mbit 直接 RDRAM) |
| 中文描述： | 144兆位的直接的RDRAM（144兆直接的RDRAM） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 76/93頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 919K |
| 代理商： | HYB25R144180C |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)第58頁(yè)第59頁(yè)第60頁(yè)第61頁(yè)第62頁(yè)第63頁(yè)第64頁(yè)第65頁(yè)第66頁(yè)第67頁(yè)第68頁(yè)第69頁(yè)第70頁(yè)第71頁(yè)第72頁(yè)第73頁(yè)第74頁(yè)第75頁(yè)當(dāng)前第76頁(yè)第77頁(yè)第78頁(yè)第79頁(yè)第80頁(yè)第81頁(yè)第82頁(yè)第83頁(yè)第84頁(yè)第85頁(yè)第86頁(yè)第87頁(yè)第88頁(yè)第89頁(yè)第90頁(yè)第91頁(yè)第92頁(yè)第93頁(yè)
Direct RDRAM
128/144-MBit (256K
×
16/18
×
32s)
Data Book
76
2.00
The cycle time, high phase time, and low phase time of the SCK clock are
t
CYCLE1
,
t
CH1
and
t
CL1
, all
measured at the 50% level. The rise and fall times of SCK, CMD, and SIO0 are
t
DR1
and
t
DF1
,
measured at the 20% and 80% levels.
The CMD signal is sampled twice per
t
CYCLE1
interval, on the rising edge (odd data) and the falling
edge (even data). The set/hold window of the sample points is
t
S1
/
t
H1.
The SCK and CMD timing
points are measured at the 50% level.
The SIO0 signal is sampled once per
t
CYCLE1
interval on the falling edge. The set/hold window of the
sample points is
t
S2
/
t
H2.
The SCK and SIO0 timing points are measured at the 50% level.
Figure 56
CMOS Timing - Data Signals for Receive
SPT04242
20%
V
IL, CMOS
IH, CMOS
80%
50%
V
CMD
DR2
t
t
S1
SCK
80%
50%
IH, CMOS
V
IL, CMOS
V
20%
t
DF2
t
H1
t
CYCLE1
50%
20%
V
IL, CMOS
SIO0
V
80%
IH, CMOS
t
DR2
CH1
t
CL1
t
t
H1
t
S1
DF1
t
DR1
t
t
t
S2
H2
Even
Odd
DF2
t
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB3116160BST-70 | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3118160BST-70 | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3116160BST-60 | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3118160BST-60 | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3116160BSJ | RES 10K-OHM 1% 0.063W 200PPM THICK-FILM SMD-0402 5K/REEL-7IN-PA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB3116160BSJ | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3116160BSJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3116160BSJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3116160BSJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3116160BST-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。