- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄383012 > GM72V66841Exx (Hynix Semiconductor Inc.) 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | GM72V66841Exx |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 2097152字× 8位× 4個銀行同步動態(tài)RAM |
| 文件頁數(shù)： | 53/57頁 |
| 文件大?。?/td> | 592K |
| 代理商： | GM72V66841EXX |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁當(dāng)前第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁
LG Semicon
Self Refresh Cycle
GM72V66841CT/CLT
Self Refresh Cycle
RAS-CAS Delay = 3
CAS Latency=3
Burst Length=4
= VIH or VIL
52
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A12/A13
Address
DQ
A10=h
Precharge
Command
if needed
Self Refresh
Entry Command
Auto
Refresh
Self Refresh Exit
Ignore Command
of No Operation
CKE Low
CLK
t
RP
t
RC
Next
Clock
Enable
Self Refresh
Entry Command
Next
Clock
Enable
High-Z
t
RC
DQM ,
DQMU/DQML
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GM72V66841ELT-7 | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ELT-75 | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ET-7 | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ET-7K | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM7630 | FIXED MULTI - OUTPUT REGULATOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GM73V1892H16C | 制造商:Hynix Semi 功能描述: 制造商:LGS 功能描述:73V1892H16C |
| GM74 | 制造商:3M Electronic Products Division 功能描述:Gasket sealing 50ml |
| GM7500 | 制造商:GAMMA 制造商全稱:GAMMA 功能描述:PULSE-WIDTH-MODULATION CONTROL CIRCUITS |
| GM7500D16T | 制造商:GAMMA 制造商全稱:GAMMA 功能描述:PULSE-WIDTH-MODULATION CONTROL CIRCUITS |
| GM7500S16R | 制造商:GAMMA 制造商全稱:GAMMA 功能描述:PULSE-WIDTH-MODULATION CONTROL CIRCUITS |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。