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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GM72V66841Exx |
| 廠(chǎng)商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 2097152字× 8位× 4個(gè)銀行同步動(dòng)態(tài)RAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 34/57頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 592K |
| 代理商： | GM72V66841EXX |
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LG Semicon
GM72V66841CT/CLT
Bank Active Command Interval
1.
Same bank:
The interval between the two
bank-active commands must be no less than
t
RC
.
2. In the case of different bank-active
commands:
The interval between the bank-
active commands must be no less than
t
RRD
.
33
Bank Active to Bank Active Command Interval for Same Bank
CLK
Command
BS(A12/A13)
Address
(A0-A11)
Bank 0
Active
ACTV
ROW
ROW
ACTV
Bank 0
Active
t
RC
Bank Active to Bank Active for different bank
CLK
Command
BS(A12/A13)
t
RRD
Address
(A0-A11)
Bank 0
Active
Bank 3
Active
ACTV
ROW:0
ACTV
ROW:1
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