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參數(shù)資料
| 型號： | XE8000EV108 |
| 廠商： | Semtech |
| 文件頁數(shù)： | 46/143頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | EVAL BOARD FOR XE8806/XE8807 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| 類型： | MCU |
| 適用于相關(guān)產(chǎn)品： | XE88LC06AMI026 |
| 所含物品： | 完全組裝的評估板 |
| 產(chǎn)品目錄頁面： | 585 (CN2011-ZH PDF) |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁當(dāng)前第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁
Semtech 2006
www.semtech.com
2-4
XE8806A/XE8807A
Hints for low power operation:
1.
Use the low power RAM instead of the RAM for all parameters that are accessed frequently. The average
current consumption for the low power RAM is about 40 times lower than for the RAM.
2.
Rather than using the circuit at low speed, it is better to use the circuit at higher speed and switch off the blocks
when not needed.
3.
The power consumption of the program memory is an important part of the overall power consumption. In case
you intend to use a ROM version and power consumption is too high, please ask us to provide you with a
circuit version with smaller ROM size.
2.4
Operating speed
2.4.1
Flash circuit version XE8806AM
The speed of the flash devices is not highly dependent upon the supply voltage. However, by limiting the
temperature range, the speed can be increased. The minimal guaranteed speed as a function of the supply voltage
and maximal temperature operating temperature is given in Figure 2-2.
VBAT
VREG
VSS
2.4 - 5.5 V
1uF
Figure 2-1. Supply configuration for flash circuit operation.
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
22.5
33.5
4
4.5
5
5.5
supply voltage VBAT (V)
speed
(MIPS)
85°C
45°C
Figure 2-2. Guaranteed speed as a function of the supply voltage and maximal temperature.
Note that the speed of the flash circuit version is limited by the flash memory. All other peripherals of the device
can run at the same speed as the ROM version (see Figure 2-6). The maximal speed of the peripherals can be
exploited by reducing the CPU frequency by a factor of 2 with respect to the clock source by executing the
instruction “FREQ div2”. Take care to execute this instruction before increasing the clock speed above the figures
given in Figure 2-2.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| AT-S-26-8/8/B-14-R | MOD CORD STANDARD 8-8 BLACK 14' |
| LGU2E221MELZ | CAP ALUM 220UF 250V 20% SNAP |
| VE-BT1-EY | CONVERTER MOD DC/DC 12V 50W |
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參數(shù)描述 |
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