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參數(shù)資料
| 型號： | W25Q16VSFIG |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 2M X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO16 |
| 封裝： | 0.300 INCH, GREEN, PLASTIC, SOIC-16 |
| 文件頁數(shù)： | 47/60頁 |
| 文件大?。?/td> | 1438K |
| 代理商： | W25Q16VSFIG |
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W25Q16V
Publication Release Date: October 7, 2009
- 51 -
Revision E
11.7 AC Electrical Characteristics (cont’d)
SPEC
DESCRIPTION
SYMBOL
ALT
MIN
TYP
MAX
UNIT
/HOLD Active Hold Time relative to CLK
tCHHH
5
ns
/HOLD Not Active Setup Time relative to CLK
tHHCH
5
ns
/HOLD Not Active Hold Time relative to CLK
tCHHL
5
ns
/HOLD to Output Low-Z
tHHQX(2)
tLZ
7
ns
/HOLD to Output High-Z
tHLQZ(2)
tHZ
12
ns
Write Protect Setup Time Before /CS Low
tWHSL(3)
20
ns
Write Protect Hold Time After /CS High
tSHWL(3)
100
ns
/CS High to Power-down Mode
tDP(2)
3
s
/CS High to Standby Mode without Electronic
Signature Read
tRES1(2)
3
s
/CS High to Standby Mode with Electronic Signature
Read
tRES2(2)
1.8
s
/CS High to next Instruction after Suspend
tSUS(2)
20
s
Write Status Register Time
tW
10
15
ms
Byte Program Time (First Byte) (4)
tBP1
30
50
s
Additional Byte Program Time (After First Byte) (4)
tBP2
6
12
s
Page Program Time
tPP
1.5
3
ms
Sector Erase Time (4KB)
tSE
120
200
ms
Block Erase Time (32KB)
tBE1
0.5
1
s
Block Erase Time (64KB)
tBE2
0.75
1.5
s
Chip Erase Time
tCE
15
30
s
Notes:
1.
Clock high + Clock low must be less than or equal to 1/fC.
2.
Value guaranteed by design and/or characterization, not 100% tested in production.
3.
Only applicable as a constraint for a Write Status Register instruction when SRP0 is set to 1.
4.
For multiple bytes after first byte within a page,
tBPN = tBP1 + tBP2 * N (typical) and tBPN = tBP1 + tBP2 * N (max), where N =
number of bytes programmed.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W25Q32DWZPIP | 256K X 16 SPI BUS SERIAL EEPROM, 7.5 ns, PDSO8 |
| W25Q80VZPIG | 1M X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, DSO8 |
| W25X16AVDAIZ | 2M X 8 FLASH 2.7V PROM, PDIP8 |
| W25X40AVSSIG | 512K X 8 FLASH 2.7V PROM, PDSO8 |
| W25X80AVDAIZ | 1M X 8 FLASH 2.7V PROM, PDIP8 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W25Q16VSSIG | 功能描述:IC FLASH 16MBIT 80MHZ 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:SpiFlash® 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| W25Q16VZPIG | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:16M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q20BW | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1.8V 2M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q20BWSNIG | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1.8V 2M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q20BWSNIP | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1.8V 2M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
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