參數(shù)資料
型號(hào)： W25Q16VSFIG
廠商： WINBOND ELECTRONICS CORP
元件分類： PROM
英文描述： 2M X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO16
封裝： 0.300 INCH, GREEN, PLASTIC, SOIC-16
文件頁(yè)數(shù)： 41/60頁(yè)
文件大?。?/td> 1438K
代理商： W25Q16VSFIG
W25Q16V
- 46 -
11. ELECTRICAL CHARACTERISTICS
11.1 Absolute Maximum Ratings (1)
PARAMETERS
SYMBOL
CONDITIONS
RANGE
UNIT
Supply Voltage
VCC
–0.6 to +4.0
V
Voltage Applied to Any Pin
VIO
Relative to Ground
–0.6 to VCC+0.4
V
Transient Voltage on any Pin
VIOT
<20nS Transient
Relative to Ground
–2.0V to VCC+2.0V
V
Storage Temperature
TSTG
–65 to +150
°C
Lead Temperature
TLEAD
See Note (2)
°C
Electrostatic Discharge Voltage
VESD
Human Body Model(3)
–2000 to +2000
V
Notes:
1. This device has been designed and tested for the specified operation ranges. Proper operation
outside of these levels is not guaranteed. Exposure to absolute maximum ratings may affect device
reliability. Exposure beyond absolute maximum ratings may cause permanent damage.
2. Compliant with JEDEC Standard J-STD-20C for small body Sn-Pb or Pb-free (Green) assembly and
the European directive on restrictions on hazardous substances (RoHS) 2002/95/EU.
3. JEDEC Std JESD22-A114A (C1=100pF, R1=1500 ohms, R2=500 ohms).
11.2 Operating Ranges
SPEC
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
MAX
UNIT
Supply Voltage(1)
VCC
FR = 80MHz, fR = 50MHz
FR = 50MHz (for E3h
command)
2.7
3.0
3.6
V
Ambient Temperature,
Operating
TA
al
Industrial
–40
+85
°C
Commerci
0
+70
Note:
1. VCC voltage during Read can operate across the min and max range but should not exceed ±10%
of the programming (erase/write) voltage.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
W25Q32DWZPIP 256K X 16 SPI BUS SERIAL EEPROM, 7.5 ns, PDSO8
W25Q80VZPIG 1M X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, DSO8
W25X16AVDAIZ 2M X 8 FLASH 2.7V PROM, PDIP8
W25X40AVSSIG 512K X 8 FLASH 2.7V PROM, PDSO8
W25X80AVDAIZ 1M X 8 FLASH 2.7V PROM, PDIP8
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
W25Q16VSSIG 功能描述:IC FLASH 16MBIT 80MHZ 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:SpiFlash® 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:71P71804S200BQ
W25Q16VZPIG 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:16M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI
W25Q20BW 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1.8V 2M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI
W25Q20BWSNIG 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1.8V 2M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI
W25Q20BWSNIP 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1.8V 2M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI
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