- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄203625 > W25Q16VSFIG (WINBOND ELECTRONICS CORP) 2M X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO16 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | W25Q16VSFIG |
| 廠(chǎng)商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類(lèi)： | PROM |
| 英文描述： | 2M X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO16 |
| 封裝： | 0.300 INCH, GREEN, PLASTIC, SOIC-16 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 18/60頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1438K |
| 代理商： | W25Q16VSFIG |
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W25Q16V
Publication Release Date: October 7, 2009
- 25 -
Revision E
10.2.11 Fast Read Quad Output (6Bh)
The Fast Read Quad Output (6Bh) instruction is similar to the Fast Read Dual Output (3Bh) instruction
except that data is output on four pins, IO0, IO1, IO2, and IO3. A Quad enable of Status Register-2 must
be executed before the device will accept the Fast Read Quad Output Instruction (Status Register bit
QE must equal 1). The Fast Read Quad Output Instruction allows data to be transferred from the
W25Q16 at four times the rate of standard SPI devices.
The Fast Read Quad Output instruction can operate at the highest possible frequency of FR (see AC
Electrical Characteristics). This is accomplished by adding eight “dummy” clocks after the 24-bit
address as shown in figure 11. The dummy clocks allow the device's internal circuits additional time for
setting up the initial address. The input data during the dummy clocks is “don’t care”. However, the IO
pins should be high-impedance prior to the falling edge of the first data out clock.
Figure 11. Fast Read Quad Output Instruction Sequence Diagram
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W25Q32DWZPIP | 256K X 16 SPI BUS SERIAL EEPROM, 7.5 ns, PDSO8 |
| W25Q80VZPIG | 1M X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, DSO8 |
| W25X16AVDAIZ | 2M X 8 FLASH 2.7V PROM, PDIP8 |
| W25X40AVSSIG | 512K X 8 FLASH 2.7V PROM, PDSO8 |
| W25X80AVDAIZ | 1M X 8 FLASH 2.7V PROM, PDIP8 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W25Q16VSSIG | 功能描述:IC FLASH 16MBIT 80MHZ 8SOIC RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:SpiFlash® 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71P71804S200BQ |
| W25Q16VZPIG | 制造商:WINBOND 制造商全稱(chēng):Winbond 功能描述:16M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q20BW | 制造商:WINBOND 制造商全稱(chēng):Winbond 功能描述:1.8V 2M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q20BWSNIG | 制造商:WINBOND 制造商全稱(chēng):Winbond 功能描述:1.8V 2M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q20BWSNIP | 制造商:WINBOND 制造商全稱(chēng):Winbond 功能描述:1.8V 2M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
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