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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MT57W4MH9CF-6 |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 4M X 9 DDR SRAM, 0.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/29頁(yè) |
| 文件大小： | 344K |
| 代理商： | MT57W4MH9CF-6 |
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4 MEG x 8, 4 MEG x 9, 2 MEG x 18, 1 MEG x 36
1.8V VDD, HSTL, DDR SIO SRAM
ADVANCE
36Mb: 1.8V VDD, HSTL, QDRB2 SRAM
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
MT57W2MH18C_B.fm – Rev. B, Pub. 2/03
11
2003 Micron Technology, Inc.
VDDQ
Supply
Power Supply: Isolated Output Buffer Supply. Nominally 1.5V. 1.8V is also permissible. See DC
Electrical Characteristics and Operating Conditions for range.
VSS
Supply
Power Supply: GND.
NC
–
No Connect: These balls are internally connected to the die, but have no function and may be left
not connected to the board to minimize ball count.
Table 6:
Ball Descriptions (continued)
SYMBOL
TYPE
DESCRIPTION
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT58L128L36D1T-5IT | 128K X 36 STANDARD SRAM, 2.8 ns, PQFP100 |
| MT58L128V36P1B-4 | 128K X 36 STANDARD SRAM, 2.3 ns, PBGA119 |
| MT58L32L36PT-7.5 | 32K X 36 CACHE SRAM, 4.2 ns, PQFP100 |
| MT58L512L18DS-7.5IT | 512K X 18 CACHE SRAM, 4 ns, PQFP100 |
| MT58L512L18DT-10IT | 512K X 18 CACHE SRAM, 5 ns, PQFP100 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT57W512H36BF-7.5 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
| MT57W512H36JF-4 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
| MT57W512H36JF-5 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
| MT57W512H36JF-6 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
| MT57W512H36JF-7.5 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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