- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄224506 > MT57W4MH9CF-6 4M X 9 DDR SRAM, 0.5 ns, PBGA165 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MT57W4MH9CF-6 |
| 元件分類(lèi)： | SRAM |
| 英文描述： | 4M X 9 DDR SRAM, 0.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 11/29頁(yè) |
| 文件大小： | 344K |
| 代理商： | MT57W4MH9CF-6 |
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4 MEG x 8, 4 MEG x 9, 2 MEG x 18, 1 MEG x 36
1.8V VDD, HSTL, DDR SIO SRAM
ADVANCE
36Mb: 1.8V VDD, HSTL, QDRB2 SRAM
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
MT57W2MH18C_B.fm – Rev. B, Pub. 2/03
19
2003 Micron Technology, Inc.
AC Test Conditions
Input pulse levels .................................0.25V to 1.25V
Input rise and fall times ......................................0.7ns
Input timing reference levels ............................. 0.75V
Output reference levels ..................................VDDQ/2
ZQ for 50
W impedance ........................................250W
Output load .............................................. See Figure 5
Figure 5:
Output Load Equivalent
50
VDDQ/2
250
Z = 50
O
ZQ
SRAM
0.75V
VREF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| MT58L128V36P1B-4 | 128K X 36 STANDARD SRAM, 2.3 ns, PBGA119 |
| MT58L32L36PT-7.5 | 32K X 36 CACHE SRAM, 4.2 ns, PQFP100 |
| MT58L512L18DS-7.5IT | 512K X 18 CACHE SRAM, 4 ns, PQFP100 |
| MT58L512L18DT-10IT | 512K X 18 CACHE SRAM, 5 ns, PQFP100 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT57W512H36BF-7.5 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
| MT57W512H36JF-4 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
| MT57W512H36JF-5 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
| MT57W512H36JF-6 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
| MT57W512H36JF-7.5 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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