參數(shù)資料
型號: MT57W4MH9CF-6
元件分類: SRAM
英文描述: 4M X 9 DDR SRAM, 0.5 ns, PBGA165
封裝: 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
文件頁數(shù): 28/29頁
文件大小: 344K
代理商: MT57W4MH9CF-6
4 MEG x 8, 4 MEG x 9, 2 MEG x 18, 1 MEG x 36
1.8V VDD, HSTL, DDR SIO SRAM
ADVANCE
36Mb: 1.8V VDD, HSTL, QDRB2 SRAM
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
MT57W2MH18C_B.fm – Rev. B, Pub. 2/03
8
2003 Micron Technology, Inc.
Table 4:
2 Meg x 18 Ball Layout (Top View)
165-Ball FBGA
12
3
4
5
6
7
8
910
11
A
CQ#
VSS/SA1
SA
R/W#
BW1#2
K#
NC/SA3
LD#
SA
VSS/SA4
CQ
B
NC
Q9
D9
SA
NC
K
BW0#5
SA
NC
Q8
C
NC
D10
VSS
SA
VSS
NC
Q7
D8
D
NC
D11
Q10
VSS
NC
D7
E
NC
Q11
VDDQVSS
VSS
VDDQNC
D6
Q6
F
NC
Q12
D12
VDDQVDD
VSS
VDD
VDDQNC
NC
Q5
G
NC
D13
Q13
VDDQVDD
VSS
VDD
VDDQNC
NC
D5
H
DLL#
VREF
VDDQVDDQVDD
VSS
VDD
VDDQVDDQVREF
ZQ
J
NC
D14
VDDQVDD
VSS
VDD
VDDQNC
Q4
D4
K
NC
Q14
VDDQVDD
VSS
VDD
VDDQNC
D3
Q3
L
NC
Q15
D15
VDDQVSS
VSS
VDDQNC
NC
Q2
M
NC
D16
VSS
NC
Q1
D2
N
NC
D17
Q16
VSS
SA
VSS
NC
D1
P
NC
Q17
SA
C
SA
NC
D0
Q0
R
TDO
TCK
SA
C#
SA
TMS
TDI
NOTE:
1. Expansion address: 2A for 144Mb
2. BW1# controls writes to D9:D17
3. Expansion address: 7A for 288Mb
4. Expansion address: 10A for 72Mb
5. BW0# controls writes to D0:D8
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