- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄374311 > KBE00S009M (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) 1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KBE00S009M |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2 |
| 中文描述： | 1Gb的NAND × 2 256Mb的移動(dòng)SDRAM × 2 |
| 文件頁數(shù)： | 79/86頁 |
| 文件大?。?/td> | 1898K |
| 代理商： | KBE00S009M |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁當(dāng)前第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁
MCP MEMORY
79
KBE00S009M-D411
Revision 1.0
May 2005
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
CKE
CS
RAS
CAS
BA1
A10/AP
CL=3
ADDR
WE
: Don’t care
CLOCK
Read Interrupted by Precharge Command & Read Burst Stop Cycle @Full Page Burst
HIGH
RAa
CL=2
Row Active
(A-Bank)
*NOTE:
1. At full page mode, burst is finished by burst stop or precharge.
2. About the valid DQs after burst stop, it is same as the case of RAS interrupt.
Both cases are illustrated above timing diagram. See the label 1, 2 on them.
But at burst write, Burst stop and RAS interrupt should be compared carefully.
Refer the timing diagram of "Full page write burst stop cycle".
3. Burst stop is valid at every burst length.
BA0
DQM
QAa3
CAa
CAb
Burst Stop
Precharge
(A-Bank)
DQ
{
QAa4
1
1
QAa2 QAa3 QAa4
2
RAa
Read
(A-Bank)
Read
(A-Bank)
QAa1
QAa0
QAa2
QAa1
QAa0
QAb1
QAb0
QAb2 QAb3 QAb4 QAb5
QAb1
QAb0
QAb2 QAb3 QAb4 QAb5
2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KBE00S009M-D411 | 1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2 |
| KBJ2501 | 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
| KBJ2502 | 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
| KBJ2503 | 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
| KBJ2504 | 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KBE00S009M-D411 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2 |
| KB-E100SRW | 功能描述:LED 顯示器和配件 Red 640nm 90mcd Diffused Light Bar RoHS:否 制造商:Avago Technologies 顯示器類型:7 Segment 數(shù)位數(shù)量:2 字符大小:7.8 mm x 14.22 mm 照明顏色:Red 波長(zhǎng):628 nm 共用管腳:Common Anode 工作電壓:2.05 V 工作電流:20 mA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 35 C 封裝:Tube |
| KB-E100SURKW | 功能描述:LED條和陣列 8.89X3.81MM RED LT BAR LED DISPLAY RoHS:否 制造商:Avago Technologies 產(chǎn)品:LED Light Bars 照明顏色:Red 光強(qiáng)度:45 mcd 封裝:Tube |
| KBE1A11N | 制造商:Lovato Electric Inc 功能描述: |
| KBEV 5T-0.5-RSSV 4.5T | 制造商:TURCK Inc 功能描述:KBEV 5T-0.5-RSSV 4.5T |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。