參數(shù)資料
型號(hào)： KBE00S009M
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2
中文描述： 1Gb的NAND × 2 256Mb的移動(dòng)SDRAM × 2
文件頁數(shù)： 52/86頁
文件大小： 1898K
代理商： KBE00S009M
MCP MEMORY
52
KBE00S009M-D411
Revision 1.0
May 2005
C. BURST SEQUENCE
1. BURST LENGTH = 4
Initial Address
Sequential
Interleave
A1
A0
0
0
0
1
2
3
0
1
2
3
0
1
1
2
3
0
1
0
3
2
1
0
2
3
0
1
2
3
0
1
1
1
3
0
1
2
3
2
1
0
2. BURST LENGTH = 8
Initial Address
Sequential
Interleave
A2
A1
A0
0
0
0
0
1
2
3
4
5
6
7
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2
3
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6
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1
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3
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4
5
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0
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1
0
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0
1
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1
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0
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6
5
4
3
2
1
0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KBE00S009M-D411 1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2
KBJ2501 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER
KBJ2502 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER
KBJ2503 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER
KBJ2504 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KBE00S009M-D411 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2
KB-E100SRW 功能描述:LED 顯示器和配件 Red 640nm 90mcd Diffused Light Bar RoHS:否 制造商:Avago Technologies 顯示器類型:7 Segment 數(shù)位數(shù)量:2 字符大小:7.8 mm x 14.22 mm 照明顏色:Red 波長:628 nm 共用管腳:Common Anode 工作電壓:2.05 V 工作電流:20 mA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 35 C 封裝:Tube
KB-E100SURKW 功能描述:LED條和陣列 8.89X3.81MM RED LT BAR LED DISPLAY RoHS:否 制造商:Avago Technologies 產(chǎn)品:LED Light Bars 照明顏色:Red 光強(qiáng)度:45 mcd 封裝:Tube
KBE1A11N 制造商:Lovato Electric Inc 功能描述:
KBEV 5T-0.5-RSSV 4.5T 制造商:TURCK Inc 功能描述:KBEV 5T-0.5-RSSV 4.5T
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