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參數資料
| 型號： | KBE00S009M |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2 |
| 中文描述： | 1Gb的NAND × 2 256Mb的移動SDRAM × 2 |
| 文件頁數： | 66/86頁 |
| 文件大小： | 1898K |
| 代理商： | KBE00S009M |
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MCP MEMORY
66
KBE00S009M-D411
Revision 1.0
May 2005
*NOTE:
1. All entries assume the CKE was active (High) during the precharge clock and the current clock cycle.
2. Illegal to bank in specified state ; Function may be Iegal in the bank indicated by BA, depending on the
state of that bank.
3. Must satisfy bus contention, bus turn around, and/or write recovery requirements.
4. NOP to bank precharging or in idle state. May precharge bank indicated by BA (and A
10
/AP).
5. Illegal if any bank is not idle.
Abbreviations : RA = Row Address BA = Bank Address
NOP = No Operation Command CA = Column Address AP = Auto Precharge
FUNCTION TRUTH TABLE (TABLE 1)
Current
CS
RAS
CAS
WE
BA
Address
Action
Note
Precharging
H
X
X
X
X
X
NOP --> Idle after t
RP
L
H
H
H
X
X
NOP --> Idle after t
RP
L
H
H
L
X
X
ILLEGAL
2
L
H
L
X
BA
CA
ILLEGAL
2
L
L
H
H
BA
RA
ILLEGAL
2
L
L
H
L
BA
A
10
/AP
NOP --> Idle after t
RP
4
Row
Activating
L
L
L
X
X
X
ILLEGAL
H
X
X
X
X
X
NOP --> Row Active after t
RCD
L
H
H
H
X
X
NOP --> Row Active after t
RCD
L
H
H
L
X
X
ILLEGAL
2
L
H
L
X
BA
CA
ILLEGAL
2
L
L
H
H
BA
RA
ILLEGAL
2
L
L
H
L
BA
A
10
/AP
ILLEGAL
2
L
L
L
X
X
X
ILLEGAL
Refreshing
H
X
X
X
X
X
NOP --> Idle after t
RC
L
H
H
X
X
X
NOP --> Idle after t
RC
L
H
L
X
X
X
ILLEGAL
L
L
H
X
X
X
ILLEGAL
L
L
L
X
X
X
ILLEGAL
Mode
Register
Accessing
H
X
X
X
X
X
NOP --> Idle after 2 clocks
L
H
H
H
X
X
NOP --> Idle after 2 clocks
L
H
H
L
X
X
ILLEGAL
L
H
L
X
X
X
ILLEGAL
L
L
X
X
X
X
ILLEGAL
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KBE00S009M-D411 | 1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2 |
| KBJ2501 | 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
| KBJ2502 | 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
| KBJ2503 | 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
| KBJ2504 | 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| KBE00S009M-D411 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2 |
| KB-E100SRW | 功能描述:LED 顯示器和配件 Red 640nm 90mcd Diffused Light Bar RoHS:否 制造商:Avago Technologies 顯示器類型:7 Segment 數位數量:2 字符大小:7.8 mm x 14.22 mm 照明顏色:Red 波長:628 nm 共用管腳:Common Anode 工作電壓:2.05 V 工作電流:20 mA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 35 C 封裝:Tube |
| KB-E100SURKW | 功能描述:LED條和陣列 8.89X3.81MM RED LT BAR LED DISPLAY RoHS:否 制造商:Avago Technologies 產品:LED Light Bars 照明顏色:Red 光強度:45 mcd 封裝:Tube |
| KBE1A11N | 制造商:Lovato Electric Inc 功能描述: |
| KBEV 5T-0.5-RSSV 4.5T | 制造商:TURCK Inc 功能描述:KBEV 5T-0.5-RSSV 4.5T |
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