參數(shù)資料
型號(hào)： KBE00S009M
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2
中文描述： 1Gb的NAND × 2 256Mb的移動(dòng)SDRAM × 2
文件頁(yè)數(shù)： 74/86頁(yè)
文件大?。?/td> 1898K
代理商： KBE00S009M
MCP MEMORY
74
KBE00S009M-D411
Revision 1.0
May 2005
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
CKE
CS
RAS
CAS
BA1
A10/AP
ADDR
WE
: Don’t care
CLOCK
Page Write Cycle at Different Bank @Burst Length=4, tRDL=2CLK
HIGH
RAa
Row Active
(A-Bank)
Write
(A-Bank)
Write
(D-Bank)
Precharge
(All Banks)
*NOTE:
1. To interrupt burst write by Row precharge, DQM should be asserted to mask invalid input data.
2. To interrupt burst write by Row precharge, both the write and the precharge banks must be the same.
BA0
DQM
DQ
*Note 1
*Note 2
RAb
CAa
CBb
RCc
RDd
CCc
RAa
RBb
RCc
RDd
DAa3 DBb0 DBb1 DBb2 DBb3 DCc0 DCc1 DDd0 DDd1 DDd2
t
CDL
t
RDL
Row Active
(B-Bank)
Write
(B-Bank)
Row Active
(C-Bank)
Row Active
(D-Bank)
Write
(C-Bank)
DAa2
DAa1
DAa0
CDd
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KBE00S009M-D411 1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2
KBJ2501 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER
KBJ2502 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER
KBJ2503 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER
KBJ2504 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KBE00S009M-D411 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2
KB-E100SRW 功能描述:LED 顯示器和配件 Red 640nm 90mcd Diffused Light Bar RoHS:否 制造商:Avago Technologies 顯示器類型:7 Segment 數(shù)位數(shù)量:2 字符大小:7.8 mm x 14.22 mm 照明顏色:Red 波長(zhǎng):628 nm 共用管腳:Common Anode 工作電壓:2.05 V 工作電流:20 mA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 35 C 封裝:Tube
KB-E100SURKW 功能描述:LED條和陣列 8.89X3.81MM RED LT BAR LED DISPLAY RoHS:否 制造商:Avago Technologies 產(chǎn)品:LED Light Bars 照明顏色:Red 光強(qiáng)度:45 mcd 封裝:Tube
KBE1A11N 制造商:Lovato Electric Inc 功能描述:
KBEV 5T-0.5-RSSV 4.5T 制造商:TURCK Inc 功能描述:KBEV 5T-0.5-RSSV 4.5T
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