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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KBE00S009M |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2 |
| 中文描述： | 1Gb的NAND × 2 256Mb的移動(dòng)SDRAM × 2 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 59/86頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1898K |
| 代理商： | KBE00S009M |
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MCP MEMORY
59
KBE00S009M-D411
Revision 1.0
May 2005
tCCD
*2
tCCD
*2
tCDL
*3
tCCD
*2
tCDL
*3
*NOTE:
1. By " Interrupt", It is meant to stop burst read/write by external command before the end of burst.
By "CAS Interrupt", to stop burst read/write by CAS access ; read and write.
2. t
CCD
: CAS to CAS delay. (=1CLK)
3. t
CDL
: Last data in to new column address delay. (=1CLK)
DQ(CL2)
DQ(CL3)
3. CAS Interrupt (I)
1) Read interrupted by Read (BL=4)
*1
2) Write interrupted by Write (BL=2)
CLK
CMD
ADD
RD
RD
A
B
3) Write interrupted by Read (BL=2)
QA
0
QB
0
QB
1
QB
1
QB
3
QA
0
QB
0
QB
1
QB
1
QB
3
CLK
CMD
ADD
DQ
WR
WR
A
B
DA
0
DB
0
DB
1
CLK
CMD
ADD
DQ(CL2)
DQ(CL3)
WR
RD
A
B
DA
0
QB
0
QB
1
DA
0
QB
0
QB
1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KBE00S009M-D411 | 1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2 |
| KBJ2501 | 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
| KBJ2502 | 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
| KBJ2503 | 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
| KBJ2504 | 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KBE00S009M-D411 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2 |
| KB-E100SRW | 功能描述:LED 顯示器和配件 Red 640nm 90mcd Diffused Light Bar RoHS:否 制造商:Avago Technologies 顯示器類型:7 Segment 數(shù)位數(shù)量:2 字符大小:7.8 mm x 14.22 mm 照明顏色:Red 波長(zhǎng):628 nm 共用管腳:Common Anode 工作電壓:2.05 V 工作電流:20 mA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 35 C 封裝:Tube |
| KB-E100SURKW | 功能描述:LED條和陣列 8.89X3.81MM RED LT BAR LED DISPLAY RoHS:否 制造商:Avago Technologies 產(chǎn)品:LED Light Bars 照明顏色:Red 光強(qiáng)度:45 mcd 封裝:Tube |
| KBE1A11N | 制造商:Lovato Electric Inc 功能描述: |
| KBEV 5T-0.5-RSSV 4.5T | 制造商:TURCK Inc 功能描述:KBEV 5T-0.5-RSSV 4.5T |
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