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參數(shù)資料
| 型號： | HYB39S64800 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 64 MBit Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 64兆位同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 5/53頁 |
| 文件大?。?/td> | 665K |
| 代理商： | HYB39S64800 |
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Semiconductor Group
5
HYB39S64400/800/160AT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Block Diagram for 4 banks x 2M x 8 SDRAM
Row decoder
Memory array
Bank 0
4096 x 512
x 8 bi
t
C
S
Row decoder
Memory array
Bank 1
4096 x 512
x 8 bi
t
C
S
Row decoder
Memory array
Bank 2
4096 x 512
x 8 bi
t
C
S
Row decoder
Memory array
Bank 3
4096 x 512
x 8 bi
t
C
S
Input buffer
Output buffer
DQ0-DQ7
Column address
counter
Column address
buffer
Row address
buffer
Refresh Counter
A0 - A11, BA0, BA1
A0 - A8, AP, BA0, BA1
Control logic & timing generator
C
C
C
R
C
W
D
Row Addresses
Column Addresses
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB41256 | Wirewound Inductor; Inductor Type:Standard; Inductance:10nH; Inductance Tolerance:+/- 5 %; Current Rating:400mA; Series:CM160808; Package/Case:0603; Core Material:Alumina Ceramic; Leaded Process Compatible:No RoHS Compliant: No |
| HYB41256-10 | 262,144 BIT DYNAMIC RAM |
| HYB41256-12 | 262,144 BIT DYNAMIC RAM |
| HYB41256-15 | 262,144 BIT DYNAMIC RAM |
| HYB511000BJ-50 | 1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB39S64800AT-10 | 制造商:Siemens 功能描述:8M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO54 |
| HYB39S64800AT-7 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM |
| HYB39S64800AT-7.5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM |
| HYB39S64800AT-8 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| HYB39S64800AT-8B | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:64 MBit Synchronous DRAM |
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