參數(shù)資料
型號： HYB39S64800
廠商： SIEMENS AG
英文描述： 64 MBit Synchronous DRAM
中文描述： 64兆位同步DRAM
文件頁數(shù)： 23/53頁
文件大?。?/td> 665K
代理商： HYB39S64800
HYB39S64400/800/160AT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
23
3. Read Interrupted by a Read
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
T0
4.1 Read to Write Interval
(Burst Length = 4, CAS latency = 3)
T0
COMMAND
READ A
READ B
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
t
CK2,
DQ’s
CAS latency = 2
t
CK3,
DQ’s
CAS latency = 3
NOP
CLK
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
DOUT B0
DOUT B1
DOUT B2
DOUT B3
DOUT A0
DOUT B0
DOUT B1
DOUT B2
DOUT B3
DOUT A0
COMMAND
NOP
READ A
NOP
NOP
NOP
NOP
WRITE B
NOP
NOP
DQM
DOUT A0
DIN B0
DIN B1
DIN B2
: “H” or “L”
Must be Hi-Z before
the Write Command
DQ’s
Minimum delay between the Read and Write Commands = 4+1 = 5 cycles
CLK
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
t
DQZ
t
DQW
相關PDF資料
PDF描述
HYB41256 Wirewound Inductor; Inductor Type:Standard; Inductance:10nH; Inductance Tolerance:+/- 5 %; Current Rating:400mA; Series:CM160808; Package/Case:0603; Core Material:Alumina Ceramic; Leaded Process Compatible:No RoHS Compliant: No
HYB41256-10 262,144 BIT DYNAMIC RAM
HYB41256-12 262,144 BIT DYNAMIC RAM
HYB41256-15 262,144 BIT DYNAMIC RAM
HYB511000BJ-50 1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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