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參數(shù)資料
| 型號： | HYB39S64800 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 64 MBit Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 64兆位同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 17/53頁 |
| 文件大?。?/td> | 665K |
| 代理商： | HYB39S64800 |
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Semiconductor Group
17
HYB39S64400/800/160AT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Refresh Cycle
Refresh Period
(4096 cycles)
t
REF
–
64
–
64
–
64
ms
Self Refresh Exit Time
t
SREX
10
–
10
–
10
–
ns
Read Cycle
Data Out Hold Time
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
DQZ
3
–
3
–
3
–
ns
2
Data Out to Low Impedance Time
0
–
0
–
0
–
ns
Data Out to High Impedance Time
3
8
3
10
3
10
ns
DQM Data Out Disable Latency
–
2
–
2
–
2
CLK
Write Cycle
Data Input to Precharge
(write recovery)
t
WR
2
–
2
–
2
–
CLK
DQM Write Mask Latency
t
DQW
0
–
0
–
0
–
CLK
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
-8
-8B
-10
min.
max.
min.
max.
min.
max.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB41256 | Wirewound Inductor; Inductor Type:Standard; Inductance:10nH; Inductance Tolerance:+/- 5 %; Current Rating:400mA; Series:CM160808; Package/Case:0603; Core Material:Alumina Ceramic; Leaded Process Compatible:No RoHS Compliant: No |
| HYB41256-10 | 262,144 BIT DYNAMIC RAM |
| HYB41256-12 | 262,144 BIT DYNAMIC RAM |
| HYB41256-15 | 262,144 BIT DYNAMIC RAM |
| HYB511000BJ-50 | 1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB39S64800AT-10 | 制造商:Siemens 功能描述:8M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO54 |
| HYB39S64800AT-7 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM |
| HYB39S64800AT-7.5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM |
| HYB39S64800AT-8 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| HYB39S64800AT-8B | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:64 MBit Synchronous DRAM |
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